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IRL40SC209

IRL40SC209 Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 204 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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100+2.07 EUR
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Technische Details IRL40SC209 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 478A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: StrongIRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
800+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
800+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+4.76 EUR
250+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
23+7.79 EUR
34+5.25 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
3+8.57 EUR
10+5.66 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRL40SC209 IRL40SC209 Infineon Technologies Infineon_IRL40SC209_DS_v02_02_EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 12345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+10.14 EUR
10+6.64 EUR
100+4.96 EUR
500+4.14 EUR
800+3.83 EUR
2400+3.61 EUR
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IRL40SC209 IRL40SC209 INFINEON 2718801.pdf Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
25+10.34 EUR
37+6.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.5 EUR
250+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
IRL40SC209
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.14 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 800 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
800+3.18 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRL40SC209
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 551 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+4.76 EUR
250+4.66 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL40SC209 179296639079783infineon-irl40sc209-ds-v02_00-en.pdffileid5546d462557e6e890155a14.pdf
IRL40SC209
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 40V 478A Automotive 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 446 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
23+7.79 EUR
34+5.25 EUR
100+3.81 EUR
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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IRL40SC209 Infineon-IRL40SC209-DS-v02_00-EN.pdf?fileId=5546d462557e6e890155a1413329602d
IRL40SC209
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 40V 478A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 478A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.8mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 375W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK-7
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 267 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15270 pF @ 25 V
auf Bestellung 806 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
3+8.57 EUR
10+5.66 EUR
100+4.01 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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MOSFETs IR FET UP TO 60V
auf Bestellung 12345 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+10.14 EUR
10+6.64 EUR
100+4.96 EUR
500+4.14 EUR
800+3.83 EUR
2400+3.61 EUR
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL40SC209 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 478 A, 800 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 478A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 375W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: StrongIRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 800µohm
auf Bestellung 551 Stücke:
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25+10.34 EUR
37+6.35 EUR
50+5.19 EUR
100+4.5 EUR
250+4.15 EUR
Mindestbestellmenge: 25 Stücke
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