IRL40T209ATMA2 Infineon Technologies
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Technische Details IRL40T209ATMA2 Infineon Technologies
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8, Case: PG-HSOF-8, Mounting: SMD, Polarisation: unipolar, Kind of package: reel; tape, Kind of channel: enhancement, Drain-source voltage: 40V, Drain current: 586A, Type of transistor: N-MOSFET.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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| IRL40T209ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IRL40T209ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 40V 586A 9-Pin(8+Tab) HSOF T/R |
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IRL40T209ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: TRENCH <= 40V Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerSFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 300A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.72mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 500W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: PG-HSOF-8-1 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 269 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16000 pF @ 20 V |
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| IRL40T209ATMA2 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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| IRL40T209ATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 586A; PG-HSOF-8 Case: PG-HSOF-8 Mounting: SMD Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement Drain-source voltage: 40V Drain current: 586A Type of transistor: N-MOSFET |
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| IRL40T209ATMA2 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET Type of transistor: N-MOSFET |
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