Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRL530NSTRLPBF
IRL530NSTRLPBF

IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.8 EUR
2400+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRL530NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm.

Weitere Produktangebote IRL530NSTRLPBF nach Preis ab 0.77 EUR bis 3.46 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+0.8 EUR
2400+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
68+ 1.06 EUR
89+ 0.81 EUR
94+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irl530nspbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 17A; 3.8W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 17A
Power dissipation: 3.8W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±20V
Mounting: SMD
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 282 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
61+1.19 EUR
68+ 1.06 EUR
89+ 0.81 EUR
94+ 0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 61
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1590 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
122+1.29 EUR
128+ 1.18 EUR
143+ 1.02 EUR
200+ 0.94 EUR
500+ 0.9 EUR
Mindestbestellmenge: 122
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
88+1.79 EUR
90+ 1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 88
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5600 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
800+1.85 EUR
1600+ 1.51 EUR
2400+ 1.42 EUR
5600+ 1.35 EUR
Mindestbestellmenge: 800
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 133 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
72+2.18 EUR
88+ 1.73 EUR
90+ 1.62 EUR
Mindestbestellmenge: 72
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153565fb64c2562 Description: MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5704 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
8+3.43 EUR
10+ 2.81 EUR
100+ 2.18 EUR
Mindestbestellmenge: 8
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRL530NS_DataSheet_v01_01_EN-3363370.pdf MOSFET PLANAR 40<-<100V
auf Bestellung 685 Stücke:
Lieferzeit 14-28 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
16+3.46 EUR
19+ 2.83 EUR
100+ 2.08 EUR
500+ 2 EUR
800+ 1.47 EUR
2400+ 1.4 EUR
4800+ 1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 16
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012838769-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL530NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.1 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
auf Bestellung 153 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irl530nspbf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 2400 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRL530NSTRLPBF IRL530NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irl530ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar