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IRL60HS118

IRL60HS118 Infineon Technologies

infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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Technische Details IRL60HS118 Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.017 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V, Verlustleistung: 11.5W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
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4000+0.67 EUR
8000+0.62 EUR
12000+0.6 EUR
20000+0.57 EUR
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7601 Stücke:
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208+0.84 EUR
221+0.79 EUR
226+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 208 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON TECHNOLOGIES IRL60HS118.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
49+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
131+1.92 EUR
173+1.34 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193 Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 20744 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 INFINEON 2718802.pdf Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.017 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 11.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 7510 Stücke:
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92+2.73 EUR
125+1.86 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies Infineon_IRL60HS118_DataSheet_v03_01_EN.pdf MOSFETs DIFFERENTIATED MOSFETS
auf Bestellung 2243 Stücke:
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2+2.92 EUR
10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
4000+0.67 EUR
8000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
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IRL60HS118 IRL60HS118 Infineon Technologies infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRL60HS118 Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193
IRL60HS118
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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4000+0.67 EUR
8000+0.62 EUR
12000+0.6 EUR
20000+0.57 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 7601 Stücke:
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208+0.84 EUR
221+0.79 EUR
226+0.75 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.69 EUR
4000+0.65 EUR
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IRL60HS118
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: OptiMOS™ 5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 13A
Power dissipation: 5.8W
Case: PQFN2X2
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 5.3nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 3399 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
49+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 49 Stücke
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IRL60HS118 2718802.pdf
IRL60HS118
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 11.5W
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 9281 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
131+1.92 EUR
173+1.34 EUR
250+1.04 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 131 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118 Infineon-IRL60HS118-DS-v01_02-EN.pdf?fileId=5546d46259d9a4bf015a4b3b35de1193
IRL60HS118
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V
auf Bestellung 20744 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
8+2.67 EUR
13+1.68 EUR
100+1.11 EUR
500+0.87 EUR
1000+0.79 EUR
2000+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRL60HS118
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.017 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
Verlustleistung: 11.5W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
auf Bestellung 7510 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
92+2.73 EUR
125+1.86 EUR
250+1.13 EUR
1000+0.81 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 92 Stücke
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10+1.82 EUR
100+1.21 EUR
500+0.96 EUR
1000+0.83 EUR
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IRL60HS118
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL60HS118 infineon-irl60hs118-datasheet-v03_01-en.pdf
IRL60HS118
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 38 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 23 Stücke
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