IRL60HS118 Infineon Technologies
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Technische Details IRL60HS118 Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 18.5, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 11.5, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7, euEccn: NLR, Verlustleistung: 11.5, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 6, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET DIFFERENTIATED MOSFETS |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 18.5A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18.5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 11.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.3V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 25 V |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18.5 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 11.5 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7 euEccn: NLR Verlustleistung: 11.5 Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 6 Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0133 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRL60HS118 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 18.5 A, 0.0133 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES Verlustleistung: 11.5 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0133 rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 10A 6-Pin PQFN EP T/R |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A Power dissipation: 5.8W Case: PQFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRL60HS118 | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 13A; 5.8W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: OptiMOS™ 5 Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 13A Power dissipation: 5.8W Case: PQFN2X2 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 17mΩ Mounting: SMD Gate charge: 5.3nC Kind of package: reel Kind of channel: enhanced |
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