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Technische Details IRL60SL216 Infineon / IR
Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 298, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 375, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4, euEccn: NLR, Verlustleistung: 375, Bauform - Transistor: TO-262, Anzahl der Pins: 3, Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016, Rds(on)-Prüfspannung: 10, Betriebstemperatur, max.: 175, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195, SVHC: No SVHC (08-Jul-2021).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRL60SL216 | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRL60SL216 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 298 A, 0.00195 ohm, TO-262, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 298 hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 375 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4 euEccn: NLR Verlustleistung: 375 Bauform - Transistor: TO-262 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: StrongIRFET HEXFET Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0016 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 175 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00195 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) |
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IRL60SL216 | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 60V 298A 3-Pin(3+Tab) TO-262 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL60SL216 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A TO262-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.95mOhm @ 100A, 10V Power Dissipation (Max): 375W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-262-3 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 15330 pF @ 25 V |
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