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IRL6372TRPBF

IRL6372TRPBF Infineon Technologies

infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
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Technische Details IRL6372TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm, tariffCode: 85412900, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 2W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOIC, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 2W, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
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4000+0.38 EUR
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3683 Stücke:
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412+0.43 EUR
413+0.42 EUR
417+0.39 EUR
420+0.37 EUR
424+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
347+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.56 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
910+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
auf Bestellung 15521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+0.82 EUR
10+0.81 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irl6372pbf.pdf Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+0.86 EUR
112+0.76 EUR
125+0.68 EUR
154+0.55 EUR
174+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
133+1.88 EUR
182+1.27 EUR
266+0.81 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF INFINEON INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
134+1.88 EUR
187+1.24 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRL6372TRPBF IRL6372TRPBF Infineon Technologies irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579 Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 11036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
10+2.28 EUR
18+1.17 EUR
100+0.69 EUR
500+0.6 EUR
1000+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRL6372TRPBF International Rectifier/Infineon irl6372pbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.38 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3683 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
412+0.43 EUR
413+0.42 EUR
417+0.39 EUR
420+0.37 EUR
424+0.36 EUR
500+0.33 EUR
1000+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 412 Stücke
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IRL6372TRPBF
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Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 11980 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
347+0.51 EUR
500+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 8000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
4000+0.56 EUR
8000+0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3843 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
910+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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IRL6372TRPBF infineon-irl6372-datasheet-v01_01-en.pdf
IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 8.1A 8-Pin SOIC T/R
auf Bestellung 3187 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
910+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 910 Stücke
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IRL6372TRPBF Infineon_IRL6372_DataSheet_v01_01_EN-3363633.pdf
IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs DUAL MOSFT 8.1A 2.5V 18mOhm drv cpbl
auf Bestellung 15521 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+0.82 EUR
10+0.81 EUR
100+0.62 EUR
500+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRL6372TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 30V; 8.1A; 2.5W; SO8
Case: SO8
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET x2
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 8.1A
On-state resistance: 17.9mΩ
Power dissipation: 2.5W
Gate-source voltage: ±12V
Polarisation: unipolar
auf Bestellung 828 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+0.86 EUR
112+0.76 EUR
125+0.68 EUR
154+0.55 EUR
174+0.49 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRL6372TRPBF INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL6372TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 3629 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
133+1.88 EUR
182+1.27 EUR
266+0.81 EUR
1000+0.64 EUR
2000+0.61 EUR
Mindestbestellmenge: 133 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRL6372TRPBF INFN-S-A0012838353-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRL6372TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRL6372TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 8.1 A, 8.1 A, 0.014 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 8.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 8.1A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.014ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 2W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.014ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 2W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 3994 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
134+1.88 EUR
187+1.24 EUR
250+0.98 EUR
1000+0.8 EUR
2000+0.74 EUR
Mindestbestellmenge: 134 Stücke
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IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535660046e2579
IRL6372TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 2W
Drain to Source Voltage (Vdss): 30V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.1A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1020pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17.9mOhm @ 8.1A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 8-SO
Part Status: Active
auf Bestellung 11036 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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10+2.28 EUR
18+1.17 EUR
100+0.69 EUR
500+0.6 EUR
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Mindestbestellmenge: 10 Stücke
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IRL6372TRPBF irl6372pbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 30, Id = 8,1 А, Ptot, Вт = 2, Тип монт. = smd, Ciss, пФ @ Uds, В = 1020 @ 25, Qg, нКл = 11 @ 4,5 В, Rds = 17,9 мОм @ 8,1 A, 4,5 В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 1,1 В @ 10 мкА,... Транзистори Корпус: SOICN-8 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 4000 Stücke
verfügbar 2 Stücke:
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