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IRL640SPBF

IRL640SPBF VISHAY

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7 Hersteller: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
auf Bestellung 74 Stücke:
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Anzahl Preis
31+2.33 EUR
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Technische Details IRL640SPBF VISHAY

Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB90B41ED9BC8285A7FBD4E0C4&compId=sihl640s.pdf?ci_sign=92230260ba31063310f291fe51f09e2643daa4f7 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Pulsed drain current: 68A
Kind of package: tube
Gate charge: 66nC
On-state resistance: 0.27Ω
Gate-source voltage: ±10V
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : Vishay Semiconductors sihl640s.pdf MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp
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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : Vishay Siliconix sihl640s.pdf Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V
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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : Vishay sihl640s.pdf Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK
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IRL640SPBF IRL640SPBF Hersteller : VISHAY sihl640s.pdf Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Produktcode: 127205
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