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Technische Details IRL640SPBF Vishay
Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRL640SPBF nach Preis ab 1.47 EUR bis 5.97 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay |
 Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 1009 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs N-Chan 200V 17 Amp |
auf Bestellung 1937 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 200V 17A D2PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-263 (D2Pak) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 2803 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL640SPBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRL640SPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 17 A, 0.18 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 1 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
auf Bestellung 140 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRL640SPBF Produktcode: 127205
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRL640SPBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 200V 17A 3-Pin(2+Tab) D2PAK |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRL640SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRL640SPBF | Hersteller : VISHAY |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; Idm: 68A; 125W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 200V Drain current: 11A Pulsed drain current: 68A Power dissipation: 125W Case: D2PAK; TO263 Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.27Ω Mounting: SMD Gate charge: 66nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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