IRLB8314PBF Infineon Technologies
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| 208+ | 0.7 EUR |
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Technische Details IRLB8314PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 171A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 125W, Bauform - Transistor: TO-220AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLB8314PBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.18 EUR
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 19477 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V |
auf Bestellung 1135 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs TRENCH <= 40V |
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IRLB8314PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 0.0024 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 171A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4025 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
auf Bestellung 997 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 |
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IRLB8314PBF Produktcode: 145201
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRLB8314PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube |
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IRLB8314PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLB8314PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 120A Power dissipation: 125W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 2.4mΩ Mounting: THT Kind of channel: enhancement Pulsed drain current: 664A |
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