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IRLB8314PBF

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Produktcode: 145201
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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312+0.45 EUR
318+0.43 EUR
500+0.38 EUR
1000+0.36 EUR
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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309+0.47 EUR
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1000+0.39 EUR
2000+0.38 EUR
5000+0.36 EUR
10000+0.33 EUR
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies infineonirlb8314dsv0200en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 1526 Stücke:
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157+0.92 EUR
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
auf Bestellung 157 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+1.52 EUR
96+0.75 EUR
116+0.62 EUR
125+0.57 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies Infineon-IRLB8314-DS-v02_00-EN.pdf MOSFETs IR FET UP TO 60V
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500+0.75 EUR
1000+0.72 EUR
5000+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
auf Bestellung 897 Stücke:
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8+2.29 EUR
50+1.08 EUR
100+0.96 EUR
500+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 8 Stücke
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF Infineon irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
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1+6.55 EUR
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IRLB8314PBF IRLB8314PBF INFINEON irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 2754 Stücke:
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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318+0.43 EUR
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1000+0.36 EUR
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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306+0.48 EUR
309+0.47 EUR
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
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IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 664A
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MOSFETs IR FET UP TO 60V
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100+0.96 EUR
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IRLB8314PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-220-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-220-3
Packaging: Tube
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Hersteller: Infineon
N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3 Транзистори
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IRLB8314PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 171 A, 2400 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 171A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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