Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLB8314PBF
IRLB8314PBF

IRLB8314PBF Infineon Technologies

116714363039863irlb8314pbf.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 988 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
156+1 EUR
188+ 0.8 EUR
500+ 0.69 EUR
Mindestbestellmenge: 156
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLB8314PBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V, Power Dissipation (Max): 125W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V.

Weitere Produktangebote IRLB8314PBF nach Preis ab 0.48 EUR bis 1.65 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
134+1.17 EUR
155+ 0.97 EUR
187+ 0.78 EUR
500+ 0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 134
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 120A; Idm: 664A; 125W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 664A
Power dissipation: 125W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.4mΩ
Mounting: THT
Kind of channel: enhanced
auf Bestellung 235 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
59+1.22 EUR
76+ 0.95 EUR
130+ 0.55 EUR
138+ 0.52 EUR
Mindestbestellmenge: 59
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 2058 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
125+1.26 EUR
178+ 0.85 EUR
195+ 0.75 EUR
200+ 0.71 EUR
500+ 0.56 EUR
1000+ 0.5 EUR
2000+ 0.48 EUR
Mindestbestellmenge: 125
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLB8314_DS_v02_00_EN-1732079.pdf MOSFET TRENCH <= 40V
auf Bestellung 2051 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
2+1.64 EUR
10+ 1.32 EUR
100+ 1.04 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.72 EUR
5000+ 0.64 EUR
Mindestbestellmenge: 2
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Description: MOSFET N-CH 30V 171A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 171A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 68A, 10V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5050 pF @ 15 V
auf Bestellung 1599 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis ohne MwSt
11+1.65 EUR
50+ 1.33 EUR
100+ 1.05 EUR
500+ 0.89 EUR
1000+ 0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 11
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0002837836-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLB8314PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 130 A, 0.0019 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 130A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0019ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 4517 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies 116714363039863irlb8314pbf.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 171A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
auf Bestellung 997 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF Hersteller : Infineon Technologies irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f N-кан. MOSFET 30V, 184А, 125W, TO-220-3
auf Bestellung 75 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
IRLB8314PBF
Produktcode: 145201 		irlb8314pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356604d6f258f Transistoren > MOSFET N-CH
Produkt ist nicht verfügbar