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IRLD110PBF

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Produktcode: 30512
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihld110.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
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10+2.66 EUR
100+1.82 EUR
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : VISHAY 1866628.pdf Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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IRLD110PBF 
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IRLD110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihld110.pdf MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP Група товару: Транзистори Од. вим: шт
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