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IRLD110PBF

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Produktcode: 30512
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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112+1.46 EUR
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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay / Siliconix sihld110.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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2+2.93 EUR
10+2.2 EUR
100+1.82 EUR
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2500+1.57 EUR
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IRLD110PBF IRLD110PBF VISHAY 1866628.pdf Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
auf Bestellung 740 Stücke:
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60+4.2 EUR
79+2.95 EUR
108+1.99 EUR
500+1.63 EUR
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IRLD110PBF IRLD110PBF Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
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5+4.93 EUR
10+3.17 EUR
100+2.17 EUR
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IRLD110PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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Hersteller: Vishay / Siliconix
MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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IRLD110PBF
Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Packaging: Tube
auf Bestellung 2500 Stücke:
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5+4.93 EUR
10+3.17 EUR
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Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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