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IRLD110PBF

IRLD110PBF Vishay

sihld110.pdf Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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Technische Details IRLD110PBF Vishay

Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 1A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: DIP, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm.

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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay sihld110.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin HVMDIP
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE58D8BF6005784C469&compId=IRLD110PBF.pdf?ci_sign=e61980fbc5718753ddf52b24a20551457bbb0cdd Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 6.1nC
Kind of channel: enhancement
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69+1.05 EUR
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.7A; 1.3W; DIP4
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.7A
Power dissipation: 1.3W
Case: DIP4
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay / Siliconix sihld110.pdf MOSFETs HVMDIP 100V 1A N-CH MOSFET
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : Vishay Siliconix sihld110.pdf Description: MOSFET N-CH 100V 1A 4DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.300", 7.62mm)
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 540mOhm @ 600mA, 5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: 4-HVMDIP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.1 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
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10+2.66 EUR
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Mindestbestellmenge: 5
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IRLD110PBF IRLD110PBF Hersteller : VISHAY 1866628.pdf Description: VISHAY - IRLD110PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1 A, 0.54 ohm, DIP, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: DIP
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
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Produktcode: 30512
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