IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 4000+ | 0.27 EUR |
| 8000+ | 0.25 EUR |
| 12000+ | 0.24 EUR |
| 20000+ | 0.23 EUR |
| 28000+ | 0.22 EUR |
| 40000+ | 0.21 EUR |
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Technische Details IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 9.6W, Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLHS6242TRPBF nach Preis ab 0.25 EUR bis 1.2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC |
auf Bestellung 7832 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V |
auf Bestellung 64862 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 9.6W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R |
auf Bestellung 71 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV euEccn: NLR Verlustleistung: 9.6W Bauform - Transistor: DFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 3180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLHS6242TRPBF | Hersteller : International Rectifier |
MOSFET, N-CH, 20V, 22A, PQFN-8 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLHS6242TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 20V; 10A; 1.98W; PQFN2X2 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 20V Drain current: 10A Power dissipation: 1.98W Case: PQFN2X2 Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
Produkt ist nicht verfügbar |