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IRLHS6242TRPBF

IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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4000+0.2 EUR
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Technische Details IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 20V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 22A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV, Verlustleistung: 9.6W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6242-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9 Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 28000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
4000+0.48 EUR
8000+0.44 EUR
12000+0.42 EUR
20000+0.4 EUR
28000+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 4000 Stücke
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies infineonirlhs6242datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
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242+0.73 EUR
349+0.5 EUR
500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 242 Stücke
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6242-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
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211+0.83 EUR
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6242_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
auf Bestellung 3310 Stücke:
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3+1.44 EUR
10+0.89 EUR
100+0.58 EUR
500+0.44 EUR
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Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF INFINEON INFN-S-A0012813544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
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169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies irlhs6242pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535663a52d25a9 Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 30400 Stücke:
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11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
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IRLHS6242TRPBF IRLHS6242TRPBF Infineon Technologies infineonirlhs6242datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
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auf Bestellung 120 Stücke:
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Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
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349+0.5 EUR
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Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
auf Bestellung 974 Stücke:
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211+0.83 EUR
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MOSFETs 20V 1 N-CH HEXFET 11.7mOhms 14nC
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IRLHS6242TRPBF INFN-S-A0012813544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6242TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IRLHS6242TRPBF INFN-S-A0012813544-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLHS6242TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6242TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 22 A, 0.0117 ohm, DFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 2 - 1 Jahr
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 800mV
Verlustleistung: 9.6W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0117ohm
auf Bestellung 3005 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
169+1.49 EUR
289+0.81 EUR
376+0.57 EUR
1000+0.39 EUR
2000+0.36 EUR
Mindestbestellmenge: 169 Stücke
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IRLHS6242TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 20V 10A/12A 6PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.7mOhm @ 8.5A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.98W (Ta), 9.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN (2x2) (DFN2020)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1110 pF @ 10 V
auf Bestellung 30400 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.01 EUR
17+1.25 EUR
100+0.81 EUR
500+0.63 EUR
1000+0.57 EUR
2000+0.51 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin TSDSON EP T/R
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Trans MOSFET N-CH 20V 10A 6-Pin PQFN EP T/R
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