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IRLHS6276TRPBF

IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlhs6276-datasheet-en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET 2N-CH 20V 4.5A PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 1.5W
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.5A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 310pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 3.4A, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.1nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA
Supplier Device Package: 6-PQFN Dual (2x2)
Part Status: Active
auf Bestellung 2430 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
14+1.59 EUR
22+0.99 EUR
100+0.64 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2000+0.4 EUR
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Technische Details IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm, tariffCode: 85412900, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 3.4A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A, Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm, Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W, Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: HEXFET Series, Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF INFINEON infineon-irlhs6276-datasheet-en.pdf Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 3.4A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 2490 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
137+1.83 EUR
222+1.05 EUR
343+0.63 EUR
500+0.5 EUR
1000+0.45 EUR
Mindestbestellmenge: 137 Stücke
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IRLHS6276TRPBF IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLHS6276_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 20V DUAL N-CH LOGIC LEVEL HEXFET
auf Bestellung 7995 Stücke:
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2+1.93 EUR
10+1.24 EUR
100+0.8 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.5 EUR
2000+0.44 EUR
4000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLHS6276TRPBF Infineon Technologies infineon-irlhs6276-datasheet-en.pdf Trans MOSFET N-CH 20V 4.5A 6-Pin PQFN EP T/R
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IRLHS6276TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLHS6276TRPBF - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 3.4 A, 3.4 A, 0.033 ohm
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Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.033ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 6.6W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: HEXFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.033ohm
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 6.6W
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