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IRLL014NTRPBF

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Produktcode: 75405
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Hersteller:
Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRLL014NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:2A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):0.14ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 9141 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.94 EUR
124+0.69 EUR
152+0.56 EUR
204+0.42 EUR
500+0.32 EUR
1000+0.29 EUR
2500+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
154+1.12 EUR
271+0.62 EUR
303+0.52 EUR
500+0.39 EUR
1000+0.35 EUR
2500+0.26 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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auf Bestellung 4658 Stücke:
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154+1.12 EUR
271+0.63 EUR
303+0.55 EUR
500+0.42 EUR
1000+0.37 EUR
2500+0.3 EUR
Mindestbestellmenge: 154 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
auf Bestellung 904 Stücke:
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3+1.64 EUR
10+0.98 EUR
100+0.69 EUR
500+0.51 EUR
1000+0.48 EUR
2500+0.32 EUR
Mindestbestellmenge: 3 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8036 Stücke:
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100+2.52 EUR
152+1.52 EUR
235+0.92 EUR
500+0.68 EUR
1000+0.58 EUR
5000+0.5 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8066 Stücke:
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IRLL014NTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
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IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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154+1.12 EUR
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
auf Bestellung 904 Stücke:
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IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
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Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
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auf Bestellung 183 Stücke:
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