IRLL014NTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLL014NTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm, SVHC: Lead (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLL014NTRPBF nach Preis ab 0.19 EUR bis 1.56 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
auf Bestellung 40000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4960 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl |
auf Bestellung 56842 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V |
auf Bestellung 40826 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 4 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 1W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 11888 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLL014NTRPBF | Hersteller : INTERNATIONAL RECTIFIER |
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free |
auf Bestellung 183 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLL014NTRPBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
(MFET,N-CH,55V,2.0A,0.14 OM,SOT-223) |
auf Bestellung 2105 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLL014NTRPBF |
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal |
auf Bestellung 4526 Stücke: Lieferzeit 7-21 Tag (e) |
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IRLL014NTRPBF Produktcode: 75405
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Transistoren > MOSFET N-CH |
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IRLL014NTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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