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IRLL014NTRPBF

IRLL014NTRPBF

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Produktcode: 75405
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Transistoren > MOSFET N-CH

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Technische Details IRLL014NTRPBF

  • MOSFET
  • Transistor Polarity:N Channel
  • Continuous Drain Current, Id:2A
  • Drain Source Voltage, Vds:55V
  • On Resistance, Rds(on):0.14ohm
  • Rds(on) Test Voltage, Vgs:10V
  • Threshold Voltage, Vgs Typ:2V
  • Power Dissipation, Pd:2.1W

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
2500+0.28 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
400+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll014npbf.pdf description Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
91+0.79 EUR
124+0.58 EUR
152+0.47 EUR
204+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 30489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
12+1.55 EUR
19+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf description MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
auf Bestellung 16491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+0.78 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLL014NTRPBF IRLL014NTRPBF INFINEON INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLL014NTRPBF INTERNATIONAL RECTIFIER irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
5+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLL014NTRPBF irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf description IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 4526 Stücke:
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.28 EUR
5000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 290000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.28 EUR
5000+0.24 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 2.8A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 4658 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
400+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 400 Stücke
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 30000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2500+0.38 EUR
5000+0.35 EUR
7500+0.33 EUR
12500+0.31 EUR
17500+0.3 EUR
25000+0.29 EUR
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 2A; 2.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 2A
Power dissipation: 2.1W
Case: SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4465 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
91+0.79 EUR
124+0.58 EUR
152+0.47 EUR
204+0.35 EUR
500+0.27 EUR
1000+0.24 EUR
2500+0.21 EUR
Mindestbestellmenge: 91 Stücke
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IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 2A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 140mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 25 V
auf Bestellung 30489 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
12+1.55 EUR
19+0.96 EUR
100+0.62 EUR
500+0.48 EUR
1000+0.43 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description Infineon_IRLL014N_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLL014NTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 2A 140mOhm 9.5nC LogLvl
auf Bestellung 16491 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
2+1.74 EUR
10+1.25 EUR
100+0.78 EUR
500+0.54 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.4 EUR
5000+0.35 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description INFN-S-A0012813459-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL014NTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL014NTRPBF - Leistungs-MOSFET, HEXFET, n-Kanal, 55 V, 2 A, 0.14 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 1W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm
auf Bestellung 8026 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
Hersteller: INTERNATIONAL RECTIFIER
n-Ch, 55V, 0.14, SOT223, Pb-Free
auf Bestellung 183 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
5+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL014NTRPBF description irll014npbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664368425cf
IRLL014NTRPBF Транзисторы MOS FET Small Signal
auf Bestellung 4526 Stücke:
Lieferzeit 7-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH