IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLL024ZTRPBF nach Preis ab 0.3 EUR bis 1.65 EUR
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 2022 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223 Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 4A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 1W Case: SOT223 Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 60mΩ Mounting: SMD Gate charge: 11nC Kind of package: reel Kind of channel: enhancement |
auf Bestellung 2022 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl |
auf Bestellung 5298 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-4, TO-261AA Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 1W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-223 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V |
auf Bestellung 7717 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2745 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLL024ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
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