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IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

infineonirll024zdatasheeten.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 2.8W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
auf Bestellung 5000 Stücke:
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
auf Bestellung 1274 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
84+1.02 EUR
99+0.86 EUR
110+0.77 EUR
135+0.63 EUR
144+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6806 Stücke:
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107+1.65 EUR
157+1.11 EUR
225+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies infineonirll024zdatasheeten.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
107+1.65 EUR
157+1.08 EUR
225+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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11+2.03 EUR
17+1.29 EUR
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
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2+2.4 EUR
10+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1744 Stücke:
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100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
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159+1.46 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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84+1.02 EUR
99+0.86 EUR
110+0.77 EUR
135+0.63 EUR
144+0.6 EUR
500+0.58 EUR
Mindestbestellmenge: 84 Stücke
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6806 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
107+1.65 EUR
157+1.11 EUR
225+0.75 EUR
500+0.58 EUR
1000+0.51 EUR
2500+0.44 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 6806 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
107+1.65 EUR
157+1.08 EUR
225+0.73 EUR
500+0.56 EUR
1000+0.46 EUR
2500+0.39 EUR
Mindestbestellmenge: 107 Stücke
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IRLL024ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
auf Bestellung 5046 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
11+2.03 EUR
17+1.29 EUR
100+0.84 EUR
500+0.65 EUR
1000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRLL024ZTRPBF Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLL024ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
auf Bestellung 3220 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2+2.4 EUR
10+1.5 EUR
100+0.99 EUR
500+0.77 EUR
1000+0.69 EUR
2500+0.61 EUR
5000+0.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
242+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLL024ZTRPBF IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLL024ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.06 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 2.8W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.06ohm
auf Bestellung 1744 Stücke:
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100+2.52 EUR
159+1.46 EUR
242+0.89 EUR
500+0.69 EUR
1000+0.63 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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