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IRLL024ZTRPBF

IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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Technische Details IRLL024ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: SOT-223, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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2500+0.39 EUR
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Mindestbestellmenge: 2500
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Description: MOSFET N-CH 55V 5A SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 380 pF @ 25 V
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19+0.97 EUR
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500+0.54 EUR
1000+0.49 EUR
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2156 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
73+0.99 EUR
104+0.69 EUR
133+0.54 EUR
141+0.51 EUR
143+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 73
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irll024zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 4A; Idm: 40A; 1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 4A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 11nC
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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136+1.09 EUR
197+0.73 EUR
231+0.60 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.44 EUR
2500+0.40 EUR
5000+0.37 EUR
Mindestbestellmenge: 136
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLL024ZTRPBF_DataSheet_v01_01_EN-3363379.pdf MOSFETs MOSFT 55V 5A 60mOhm 7nC Log Lvl
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3+1.17 EUR
10+0.80 EUR
100+0.58 EUR
500+0.49 EUR
1000+0.45 EUR
2500+0.41 EUR
5000+0.40 EUR
Mindestbestellmenge: 3
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2435 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS11312-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLL024ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 5 A, 0.048 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 2435 Stücke:
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies irll024z.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A Automotive 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon/IR irll024zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356644e0225d5 Транз. Пол. ММ N-HEXFET logik SOT223 Udss=55V; Id=5A; Pdmax=3,8W; Rds=60 mOhmsds=0,14 Ohm
auf Bestellung 2496 Stücke:
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Anzahl Preis
1+2.29 EUR
10+2.11 EUR
100+2.01 EUR
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IRLL024ZTRPBF IRLL024ZTRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irll024z-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 5A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
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