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IRLL2705PBF Infineon


irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Hersteller: Infineon
Транз. Пол. ММ N-HEXFET SOT223 Udss=55V; Id=3,8A; Pdmax=2,1W; Rds=0,04 Ohm
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Technische Details IRLL2705PBF Infineon

Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223, Packaging: Tube, Package / Case: TO-261-4, TO-261AA, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V, Power Dissipation (Max): 1W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-223, Part Status: Discontinued at Digi-Key, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLL2705PBF IRLL2705PBF
Produktcode: 22279
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Hersteller : IR irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Transistoren > MOSFET N-CH
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IRLL2705PBF IRLL2705PBF Hersteller : Infineon Technologies irll2705pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535664653425db Description: MOSFET N-CH 55V 3.8A SOT223
Packaging: Tube
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.8A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-223
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 870 pF @ 25 V
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IRLL2705PBF IRLL2705PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLL2705_DataSheet_v01_01_EN-1732800.pdf MOSFET 55V 1 N-CH HEXFET 40mOhms 32nC
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