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IRLML0100TRPBF

IRLML0100TRPBF

irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8
Produktcode: 38413
Hersteller: IR
Gehäuse: SOT-23
Uds,V: 100
Idd,A: 01.06.2015
Rds(on), Ohm: 0.22
Ciss, pF/Qg, nC: 05.02.290
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8 Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
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3000+0.18 EUR
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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500+0.39 EUR
1000+0.36 EUR
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 19652 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
167+0.43 EUR
191+0.38 EUR
237+0.30 EUR
269+0.27 EUR
603+0.12 EUR
642+0.11 EUR
Mindestbestellmenge: 167
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlml0100pbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 1.6A; 1.3W; SOT23
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 1.6A
Power dissipation: 1.3W
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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384+0.39 EUR
388+0.37 EUR
392+0.35 EUR
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLML0100_DataSheet_v01_02_EN-3363684.pdf MOSFETs MOSFT 100V 1.6A 220mOhm 2.5nC Qg
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8 Description: MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 1.6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: Micro3™/SOT-23
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 290 pF @ 25 V
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.178 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905596-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLML0100TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.6 A, 0.178 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.178ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
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IRLML0100TRPBF Hersteller : International Rectifier Corporation irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8 MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT-23-3
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IRLML0100TRPBF irlml0100pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356649d9225e8 IRLML0100TRPBF Транзисторы HEXFET
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IRLML0100TRPBF IRLML0100TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlml0100-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 1.6A 3-Pin SOT-23 T/R
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1N4007-SMD M7 DO214AC
Produktcode: 73458
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K5019012205.pdf
1N4007-SMD M7 DO214AC
Hersteller: Toshiba
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Gleichrichter- und Schaltdioden
Gehäuse: SMA/DO-214AC
Urev.,V: 1000
Iausricht.,А: 1
Beschreibung: Gleichrichter
Austauschbar: S1M
Монтаж: SMD
Падіння напруги Vf: 1 V
verfügbar: 13217 Stück
1980 Stück - stock Köln
11237 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
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RB157
Produktcode: 177683
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datasheet-rb157.pdf
RB157
Hersteller: SEP
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: RB-15 (WOM)
Urew: 1000 V
I dir: 1,5 A
Zus.Info: Однофазний
Монтаж: THT
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Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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BCP69
Produktcode: 1263
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BCP69.pdf
BCP69
Hersteller: Infineon
Transistoren > Bipolar-Transistoren PNP
Gehäuse: SOT-223
fT: 40 MHz
U, V: 20
U, V: 25
I, А: 1
h21,max: 375
ZCODE: 8541 21 00 90
verfügbar: 1841 Stück
60 Stück - stock Köln
1781 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
Anzahl Preis
1+0.12 EUR
10+0.10 EUR
100+0.08 EUR
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0,47uF 100V EHR 5x11mm (EHRR47M2AB-Hitano)
Produktcode: 3046
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EHR_081225.pdf
0,47uF 100V EHR 5x11mm (EHRR47M2AB-Hitano)
Hersteller: Hitano
Kondensatoren > Kondensatoren elektrolytische THT
Kapazität: 0,47uF
Nennspannung: 100V
Reihe: EHR
Temp.Bereich: -40...+105°C
Abmessungen: 5x11mm
Lebensdauer: 5х11mm
№ 8: 2000 годин
8532 22 00 00
auf Bestellung 9547 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Anzahl Preis
1+0.04 EUR
10+0.03 EUR
100+0.02 EUR
1000+0.02 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Klemmen DG301-5.0-02P-12-00A(H) (KLS2-301-500-02P)
Produktcode: 19759
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DG301.pdf
Klemmen DG301-5.0-02P-12-00A(H) (KLS2-301-500-02P)
Hersteller: Degson, KLS
Steckverbinder, Reihenklemmen > Steckverbindungen Klemmenblock
Beschreibung: Schritt: 5,0mm, Anzahl Kontakte: 02P, Spannung/Strom: 300V/15A, für Draht: 22-14 AWG 1,5mm2
Schritt, mm: 5mm
Anzahl Kontakte: 2
Клемник гвинтовий на PCB
Номінальний струм: 15 A
№ 7: 8536 69 90 90
auf Bestellung 27374 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
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