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IRLML2060TR UMW

0e706235ccc82bf33735a97b6d62c650.pdf Hersteller: UMW
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 16V; 99mOhm; 1,2A; 1,25W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML2060TR; SP001578644; IRLML2060TR UMW TIRLML2060 UMW
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Technische Details IRLML2060TR UMW

Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V, Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML2060TR Hersteller : Infineon 0e706235ccc82bf33735a97b6d62c650.pdf N-MOSFET 1.2A 60V 1.25W 0.48Ω IRLML2060 TIRLML2060
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IRLML2060TR IRLML2060TR Hersteller : UMW 0e706235ccc82bf33735a97b6d62c650.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 1.2A SOT23
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 480mOhm @ 1.2A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.25W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 25µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
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