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IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)

IRLML5103TR (SOT-23, Infineon)

irlml5103tr-datasheet.pdf
Produktcode: 157424
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Hersteller: Infineon
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 В
Drain-Strom Id, A: 0,76 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 75/3,4
Montage: SMD
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Analogon IRLML5103TR (SOT-23, Infineon) Infineon

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML5103TR (SOT-23, IR) IRLML5103TR (SOT-23, IR)
Produktcode: 25079
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IR irlml5103.pdf Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 60 St.
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IRLML5103TR (SOT-23, IR)
Produktcode: 25079
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irlml5103.pdf
IRLML5103TR (SOT-23, IR)
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Id, A: 0,76 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,6 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 78/3,4
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML5103TR International Rectifier/Infineon IRLML5103.pdf P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, P=540mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML5103TR IRLML5103TR Infineon Technologies IRLML5103.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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IRLML5103TR IRLML5103.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальный ПТ (Vds=30V, Id=0.76A@T=25C, Id=0.61A@T=70C, Rds=0.60 R, P=540mW, -55 to +150C).... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLML5103TR IRLML5103.pdf
IRLML5103TR
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 760mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 540mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 75 pF @ 25 V
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IRLML2803TRPBF
Produktcode: 27051
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infineon-irlml2803-datasheet-en.pdf
IRLML2803TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 30 V
Drain-Strom Idd, A: 1,2 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,25 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 85/3,3
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 15 St.
  • 15 St. - stock Köln
AnzahlPrivatkunde
4+0.35 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.14 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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IRLML6402TRPBF
Produktcode: 27968
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IRLML6402.pdf
IRLML6402TRPBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: SOT-23
Drain-Source-Spannung Uds, V: 20 V
Drain-Strom Id, A: 3,7 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,065 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 633/8
Anmerkung: Logic-Level-Ansteuerung
Montage: SMD
ZCODE: 8541 21 00 90
Produkt ist nicht verfügbar
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet
AnzahlPrivatkunde
4+0.36 EUR
10+0.31 EUR
100+0.29 EUR
1000+0.25 EUR
Mindestbestellmenge: 4 St.
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1,2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 2142
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rc_series_20150401_1.pdf
1,2 kOhm 5% 0,25W 200V 1206 (RC1206JR-1K2R-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 1206
Nennwert: 1,2 kOhm
Toleranz: ±5% J
Nennleistung P, W: 0,25 W
Betriebsspannung U, V: 200 V
Bauform: 1206
erwartet: 10000 St.
  • 10000 St. - erwartet 06.11.2026
auf Bestellung: 4015 St.
  • 4015 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+0.5 EUR
100+0.043 EUR
1000+0.007 EUR
10000+0.0055 EUR
Mindestbestellmenge: 10 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
33 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Produktcode: 3665
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RC_series.pdf
33 kOhm 5% 0,125W 150V 0805 (RC0805JR-33KR-Hitano) (Widerstand SMD)
Hersteller: Hitano
Widerstande SMD > SMD-Widerstande 0805
Nennwert: 33 kOhm
Toleranz: ±5% J
P Nenn., W: 0,125 W
U Betrieb, V: 150 V
Bauform: 0805
erwartet: 20000 St.
  • 20000 St. - erwartet
auf Bestellung: 3920 St.
  • 3920 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
260+0.0046 EUR
270+0.0045 EUR
1000+0.0036 EUR
10000+0.0027 EUR
Mindestbestellmenge: 260 St.
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRF4905PBF
Produktcode: 22366
18 zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt
infineon-irf4905pbf-datasheet-en.pdf
IRF4905PBF
Hersteller: IR
Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 55 V
Drain-Strom Id, A: 74 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,02 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 3400/180
Montage: THT
auf Bestellung: 1205 St.
  • 1205 St. - Lieferzeit 21-28 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+1.9 EUR
10+1.71 EUR
100+1.55 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH