IRLML6344TR HXY MOSFET
Hersteller: HXY MOSFETTransistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 55mOhm; 5,8A; 1,4W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR HXY MOSFET TIRLML6344 HXY
Anzahl je Verpackung: 250 Stücke
auf Bestellung 104 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 250+ | 0.11 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLML6344TR HXY MOSFET
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT23, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V, Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA, Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236), Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V, Vgs (Max): ±12V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V.
Weitere Produktangebote IRLML6344TR nach Preis ab 0.19 EUR bis 0.35 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLML6344TR | Hersteller : UMW |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; SP001574050; IRLML6344TR UMW TIRLML6344 UMWAnzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 900 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||
| IRLML6344TR | Hersteller : Infineon |
Transistor N-MOSFET; 30V; 12V; 37mOhm; 5A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6344TR; IRLML6344; SP001574050; MA005540618; IRLML6344; IRLML6344TR TIRLML6344Anzahl je Verpackung: 100 Stücke |
auf Bestellung 15603 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
|
|||||
| IRLML6344TR | Hersteller : UMW |
Single N-Channel 30 V 1.3 W 6.8 nC HexFet Power Mosfet Surface Mount - SOT-23-3 |
auf Bestellung 80 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
||||||
|
IRLML6344TR | Hersteller : UMW |
Description: MOSFET N-CH 30V 5A SOT23Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 155°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 29mOhm @ 5A, 4.5V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1.1V @ 10µA Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.5V, 4.5V Vgs (Max): ±12V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
