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IRLML6401

IRLML6401 MULTICOMP PRO

4495378.pdf
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
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Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
Verlustleistung: 1.3W
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 2941 Stücke:
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Technische Details IRLML6401 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: NO, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: NO, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, Verlustleistung: 1.3W, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024), Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Weitere Produktangebote IRLML6401 nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.54 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLML6401 IRLML6401 MULTICOMP PRO 4495378.pdf description Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
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IRLML6401 HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
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IRLML6401 TECH PUBLIC UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
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IRLML6401 VBsemi UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401TR-VB TIRLML6401 VBS
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IRLML6401 KEXIN UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401TR TIRLML6401 KEX
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IRLML6401 SLKOR UMW%20IRLML6401.pdf description P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLMR6401TR TIRLML6401 SLK
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IRLML6401 Infineon UMW%20IRLML6401.pdf description Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
Anzahl je Verpackung: 100 Stücke
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IRLML6401 description 4495378.pdf
IRLML6401
Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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Hersteller: HUASHUO
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Hersteller: KEXIN
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Hersteller: SLKOR
P-MOSFET 4.3A 12V 1.3W 0.05Ω IRLML6401TR IRLMR6401TR TIRLML6401 SLK
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Hersteller: Infineon
Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401TR TIRLML6401
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