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IRLML6401

IRLML6401 MULTICOMP PRO


4495378.pdf Hersteller: MULTICOMP PRO
Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
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Technische Details IRLML6401 MULTICOMP PRO

Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 12V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 4.3A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1.3W, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros, productTraceability: No, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm, SVHC: No SVHC (07-Nov-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLML6401 IRLML6401 Hersteller : MULTICOMP PRO 4495378.pdf Description: MULTICOMP PRO - IRLML6401 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 12 V, 4.3 A, 0.05 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 12V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.3A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 950mV
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.3W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro MOSFET Transistros
productTraceability: No
Rds(on)-Prüfspannung: 1.8V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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IRLML6401 Hersteller : MLCCBASE UMW%20IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 12V; 8V; 110mOhm; 3,5A; 0,35W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 MLCCBASE TIRLML6401 MLC
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IRLML6401 Hersteller : HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
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IRLML6401 Hersteller : HUASHUO UMW%20IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; IRLML6401TR IRLML6401 TIRLML6401 HUA
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IRLML6401 Hersteller : HXY MOSFET UMW%20IRLML6401.pdf Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 85mOhm; 5A; 1,31W; -55°C ~ 150°C; Equivalent: IRLML6401TR; IRLML6401GTR; SP001577044; SP001568584; IRLML6401 HXY MOSFET TIRLML6401 HXY
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IRLML6401 Hersteller : TECH PUBLIC UMW%20IRLML6401.pdf Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 125mOhm; 4,3A; 1,3W; -55°C ~ 150°C; Substitute: IRLML6401TR; IRLML6401; IRLML6401 TIRLML6401 TEC
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IRLML6401 IRLML6401 Hersteller : UMW UMW%20IRLML6401.pdf Description: 12V 4.3A 50MR@4.5V,4.3A 1.3W 950
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 4.3A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 12 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 830 pF @ 10 V
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IRLML6401 IRLML6401 Hersteller : Infineon / IR Infineon_IRLML6401_DataSheet_v01_01_EN-3363597.pdf MOSFETs
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