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IRLR2703TRPBF

IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
auf Bestellung 4000 Stücke:
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Anzahl Preis
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Technische Details IRLR2703TRPBF Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK, Power Dissipation (Max): 45W (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Vgs (Max): ±16V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA.

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IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18720 Stücke:
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IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR2703_DataSheet_v01_01_EN-3363437.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC
auf Bestellung 5168 Stücke:
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10+1.39 EUR
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IRLR2703TRPBF IRLR2703TRPBF Infineon Technologies irlr2703pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566974c9266a Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±16V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
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Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
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Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
FET Type: N-Channel
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Mounting Type: Surface Mount
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
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Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
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