IRLR2703TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
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| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.67 EUR |
| 4000+ | 0.62 EUR |
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Technische Details IRLR2703TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 23A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 45W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLR2703TRPBF nach Preis ab 0.65 EUR bis 2.39 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 22200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1835 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 45mOhms 6.2nC |
auf Bestellung 5168 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 23A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 45W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5218 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 19902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 19 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR2703TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 23 A, 0.045 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 23A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 45W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 19902 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 12000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR2703TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 23A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR2703TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 96A Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR2703TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 16A; Idm: 96A; 45W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 16A Power dissipation: 45W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement On-state resistance: 45mΩ Gate-source voltage: ±16V Pulsed drain current: 96A |
Produkt ist nicht verfügbar |