IRLR3103PBF Transistor
Produktcode: 85570
Hersteller: IRGehäuse: TO-252/D-Pak
Uds,V: 30 V
Idd,A: 55A
Rds(on), Ohm: 0,019 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1600/50
JHGF: SMD
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis ohne MwSt |
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IRLR3103PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 30V 55A 3-Pin(2+Tab) DPAK Tube |
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IRLR3103PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 55A DPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 55A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 33A, 10V Power Dissipation (Max): 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Discontinued at Digi-Key Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V |
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IRLR3103PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET 30V 1 N-CH HEXFET 19mOhms 33.3nC |
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IRLR3103PBF | Hersteller : Infineon (IRF) |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 46A; 69W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 30V Drain current: 46A Power dissipation: 69W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: logic level |
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