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IRLR3105TRPBF

IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR3105TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 25A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 57W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
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500+1.29 EUR
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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65+2.67 EUR
115+1.48 EUR
135+1.24 EUR
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3105datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies infineon_irlr3105_datasheet_en.pdf MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF Infineon Technologies irlr3105pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566ced8d2687 Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
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7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
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IRLR3105TRPBF IRLR3105TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905115-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 3195 Stücke:
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56+4.47 EUR
89+2.62 EUR
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IRLR3105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 48000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+0.86 EUR
4000+0.77 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
197+0.87 EUR
200+0.84 EUR
202+0.82 EUR
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Mindestbestellmenge: 197 Stücke
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 260 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
195+0.88 EUR
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
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2000+0.93 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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1000+1.02 EUR
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IRLR3105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.62 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
65+2.67 EUR
115+1.48 EUR
135+1.24 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.8 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLR3105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 25A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
57+3.02 EUR
Mindestbestellmenge: 57 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 55V 1 N-CH HEXFET 37mOhms 13.3nC
auf Bestellung 10082 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.17 EUR
10+1.58 EUR
100+1.37 EUR
500+1.11 EUR
1000+1.04 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLR3105TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 57W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 710 pF @ 25 V
auf Bestellung 2596 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
7+3.31 EUR
10+2.09 EUR
50+1.57 EUR
100+1.4 EUR
500+1.11 EUR
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IRLR3105TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3105TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 25 A, 0.037 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 57W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.037ohm
auf Bestellung 3195 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+4.47 EUR
89+2.62 EUR
132+1.63 EUR
500+1.29 EUR
1000+1.19 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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