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IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3110ZTRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 41317275-5
Price: 1300.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

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2000+	0.97 EUR
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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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95+	1.51 EUR
100+	1.39 EUR
250+	1.29 EUR
500+	1.19 EUR
1000+	1.11 EUR
2500+	1.03 EUR
5000+	0.96 EUR
10000+	0.94 EUR

Mindestbestellmenge: 95

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 63A
Power dissipation: 140W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

auf Bestellung 1698 Stücke:

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38+	1.92 EUR
43+	1.68 EUR
48+	1.51 EUR
66+	1.1 EUR
100+	0.96 EUR
125+	0.92 EUR
250+	0.81 EUR
500+	0.75 EUR

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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58+	2.5 EUR

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Anzahl	Preis
56+	2.55 EUR
59+	2.37 EUR
100+	2.2 EUR
250+	2.05 EUR
500+	1.92 EUR
1000+	1.79 EUR
2500+	1.68 EUR

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC

auf Bestellung 22907 Stücke:

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Anzahl	Preis
1+	3.1 EUR
10+	1.95 EUR
100+	1.45 EUR
500+	1.15 EUR
1000+	1.06 EUR
2000+	0.98 EUR
4000+	0.95 EUR

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V

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6+	3.31 EUR
10+	2.12 EUR
100+	1.43 EUR
500+	1.14 EUR
1000+	1.04 EUR

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : INFINEON

IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим:
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - MOSFET, N-KANAL, 100V, 42A, TO-252AA
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 140W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 17020 Stücke:

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IRLR3110ZTRPBF

Hersteller : International Rectifier

DPAK Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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