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IRLR3110ZTRPBF

IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 42A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, Verlustleistung: 140W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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2000+1.26 EUR
4000+1.14 EUR
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10000+0.98 EUR
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 50000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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4000+1.17 EUR
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10000+1 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.32 EUR
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3110zpbf.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 1452 Stücke:
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34+2.53 EUR
41+2.11 EUR
46+1.86 EUR
64+1.34 EUR
100+1.18 EUR
250+1.01 EUR
500+0.92 EUR
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Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.86 EUR
250+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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auf Bestellung 5245 Stücke:
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59+2.99 EUR
77+2.26 EUR
110+1.55 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.98 EUR
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59+2.99 EUR
77+2.21 EUR
110+1.49 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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56+3.14 EUR
59+2.98 EUR
100+2.82 EUR
250+2.67 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF INFINEON IRSDS10725-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
61+4.15 EUR
82+2.86 EUR
250+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
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1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.31 EUR
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies irlr3110zpbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566cf6e2268a Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 13607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
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IRLR3110ZTRPBF IRLR3110ZTRPBF Infineon Technologies infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF International Rectifier/Infineon Infineon-IRLR3110Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 35 Stücke:
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 16000 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
2000+1.26 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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AnzahlPrivatkunde
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4000+1.19 EUR
6000+1.12 EUR
10000+1.06 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.3 EUR
4000+1.17 EUR
6000+1.08 EUR
10000+1 EUR
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 12000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.32 EUR
4000+1.24 EUR
6000+1.19 EUR
10000+1.14 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; DPAK
Technology: HEXFET®
Power dissipation: 140W
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: logic level
Drain current: 63A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: reel
Case: DPAK
Mounting: SMD
auf Bestellung 1452 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
34+2.53 EUR
41+2.11 EUR
46+1.86 EUR
64+1.34 EUR
100+1.18 EUR
250+1.01 EUR
500+0.92 EUR
1000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 34 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.86 EUR
250+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+2.99 EUR
77+2.26 EUR
110+1.55 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.11 EUR
2000+1.04 EUR
4000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 5245 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
59+2.99 EUR
77+2.21 EUR
110+1.49 EUR
500+1.13 EUR
1000+1.02 EUR
2000+0.93 EUR
4000+0.87 EUR
Mindestbestellmenge: 59 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4650 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
56+3.14 EUR
59+2.98 EUR
100+2.82 EUR
250+2.67 EUR
500+2.56 EUR
1000+2.45 EUR
2500+2.34 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10752 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
81+3.2 EUR
Mindestbestellmenge: 81 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3110ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 42 A, 0.014 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 42A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
Verlustleistung: 140W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 20033 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
61+4.15 EUR
82+2.86 EUR
250+1.76 EUR
1000+1.33 EUR
3000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 61 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF Infineon_IRLR3110Z_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V HEXFET 14mOhms 15nC
auf Bestellung 14045 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+4.38 EUR
10+2.81 EUR
100+1.93 EUR
500+1.62 EUR
1000+1.44 EUR
2000+1.31 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 42A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V
Power Dissipation (Max): 140W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V
auf Bestellung 13607 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
5+4.46 EUR
10+2.86 EUR
100+1.94 EUR
500+1.56 EUR
1000+1.43 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR3110ZTRPBF infineonirlr3110zdatasheetv0101en.pdf
IRLR3110ZTRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 64 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 11 Stücke
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IRLR3110ZTRPBF Infineon-IRLR3110Z-DataSheet-v01_01-EN.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 42 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 3980 @ 25, Qg, нКл = 48 @ 4,5 В, Rds = 14 мОм @ 38 А, 10 В, Ugs(th) = 2.5 В @ 100 мкА, Р, Вт = 140, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = SMD,... Транзистори Корпус: D-PAK Очікується: 320 Од. вим
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
verfügbar 35 Stücke:
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