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IRLR3410TRLPBF(Transistor)

IRLR3410TRLPBF(Transistor)

irlr3410pbf-223115.pdf
Produktcode: 89552
Hersteller: IR
Gehäuse: DPAK-3
Uds,V: 100
Idd,A: 17
Rds(on), Ohm: 0.105
Ciss, pF/Qg, nC: 800/34
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: SMD
verfügbar 6 Stück:
Anzahl Preis
1+14.00 EUR
10+12.60 EUR
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 33000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
3000+0.54 EUR
6000+0.51 EUR
9000+0.50 EUR
Mindestbestellmenge: 3000
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2580 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
229+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 229
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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761+0.73 EUR
1000+0.65 EUR
10000+0.56 EUR
Mindestbestellmenge: 761
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 2427 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+1.46 EUR
10+1.06 EUR
100+0.86 EUR
250+0.85 EUR
500+0.75 EUR
1000+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 2
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 38105 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
12+1.53 EUR
17+1.07 EUR
100+0.81 EUR
500+0.71 EUR
1000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 12
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4685 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4685 Stücke:
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3410TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
Anzahl je Verpackung: 3000 Stücke
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IRLR3410TRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 12A; Idm: 60A; 79W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 12A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.105Ω
Gate-source voltage: ±16V
Pulsed drain current: 60A
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KBP310 (Diodenbrücke)
Produktcode: 42661
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description KBP310.pdf
KBP310 (Diodenbrücke)
Hersteller: YJ
Dioden, Diodenbrücken, Zenerdioden > Diodenbrücken und Baugruppen
Gehäuse: KBP
Urew: 1000V
I dir: 3A
Zus.Info: Einiphasen-Brücke
Auwechselbar:: KPB3005, KPB301, KPB302, KPB304, KPB306, KPB308, KPB301G, KPB302G, KPB303G, KPB304G, KPB305G, KPB306G, KPB307G, KPB2005, KPB201, KPB202, KPB204, KPB206, KPB208, KPB210, KPB2005G, KPB201G, KPB202G, KPB204G, KPB206G, KPB208G, KBP151G, KBP152G, KBP153G, KBP1
Монтаж: THT
Імпульсний струм, А: 80 A
№ 7: 8541 10 00 10
verfügbar: 1262 Stück
5 Stück - stock Köln
1257 Stück - lieferbar in 3-4 Wochen
erwartet: 200 Stück
Anzahl Preis
1+0.75 EUR
10+0.70 EUR
100+0.15 EUR
1000+0.13 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRFR4620PBF
Produktcode: 37550
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description irfr4620pbf.pdf?fileId=5546d462533600a4015356323ae920f7
IRFR4620PBF
Hersteller: IR
Transistoren > MOSFET N-CH
Uds,V: 200 V
Idd,A: 24 A
Rds(on), Ohm: 0,064 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 1710/25
JHGF: SMD
auf Bestellung 109 Stück:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH