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IRLR3410TRLPBF (Transistor)

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Produktcode: 89552
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Hersteller: IR
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 V
Drain-Strom Idd, A: 17 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,105 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 800/34
Bemerkung: Logikpegel-Ansteuerung
Montage: SMD
verfügbar: 6 St.
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    Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    Mindestbestellmenge: 759 Stücke
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
    Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
    Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
    Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
    Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
    Part Status: Active
    Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
    Vgs (Max): ±16V
    Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 17A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
    auf Bestellung 19 Stücke:
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    IRLR3410TRLPBF IRLR3410TRLPBF INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 17A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: N
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
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    IRLR3410TRLPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    200+0.96 EUR
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    178+0.95 EUR
    222+0.74 EUR
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    IRLR3410TRLPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
    Packaging: Cut Tape (CT)
    Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
    Mounting Type: Surface Mount
    Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
    Technology: MOSFET (Metal Oxide)
    FET Type: N-Channel
    Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
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    Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
    Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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    IRLR3410TRLPBF
    Hersteller: Infineon Technologies
    Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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    IRLR3410TRLPBF INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
    IRLR3410TRLPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 17A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
    isCanonical: Y
    MSL: MSL 1 - unbegrenzt
    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
    Verlustleistung: 79W
    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
    auf Bestellung 19 Stücke:
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    IRLR3410TRLPBF
    Hersteller: INFINEON
    Description: INFINEON - IRLR3410TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
    tariffCode: 85412900
    Transistormontage: Oberflächenmontage
    euEccn: NLR
    Drain-Source-Spannung Vds: 100V
    rohsCompliant: YES
    Dauer-Drainstrom Id: 17A
    hazardous: false
    rohsPhthalatesCompliant: YES
    Qualifikation: -
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    Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
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    SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
    Bauform - Transistor: TO-252AA
    Anzahl der Pins: 3Pin(s)
    Produktpalette: HEXFET
    productTraceability: Yes-Date/Lot Code
    usEccn: EAR99
    Kanaltyp: n-Kanal
    Betriebstemperatur, max.: 175°C
    Rds(on)-Prüfspannung: 10V
    Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
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