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IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Name: IRLR3410TRPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 967224-5
Price: 142.65 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Technische Details IRLR3410TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level

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77+	0.93 EUR
113+	0.63 EUR
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250+	0.49 EUR
500+	0.46 EUR
1000+	0.41 EUR
2000+	0.37 EUR
4000+	0.34 EUR

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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105+	1.36 EUR
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250+	1.16 EUR
500+	1.07 EUR

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC

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2+	1.92 EUR
10+	1.22 EUR
100+	0.88 EUR
500+	0.65 EUR
1000+	0.6 EUR
2000+	0.56 EUR
4000+	0.55 EUR

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V

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8+	2.24 EUR
13+	1.4 EUR
100+	0.93 EUR
500+	0.73 EUR
1000+	0.66 EUR

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : INFINEON

INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

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Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : Infineon

MOSFET N-CH 100V 15A DPAK (аналог 19N10L) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : International Rectifier

MOSFET N-CH 100V 17A TO-252AA (DPAK) Група товару: Транзистори Од. вим: шт

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IRLR3410TRPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ, Udss, В = 100, Id = 17 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 800 @ 25, Qg, нКл = 34 @ 5 В, Rds = 105 мОм @ 10 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 79, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke

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