IRLR3410TRPBF Infineon Technologies
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| 317+ | 0.46 EUR |
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Technische Details IRLR3410TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLR3410TRPBF nach Preis ab 0.34 EUR bis 2.94 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
  Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1605 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 62000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 56000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8800 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 4621 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 10533 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
auf Bestellung 8978 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC |
auf Bestellung 15981 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3410TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||||||
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IRLR3410TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 17A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 10015 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1605 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 317+ | 0.46 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.48 EUR |
| 4000+ | 0.45 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 62000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.49 EUR |
| 4000+ | 0.46 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 56000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.6 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 8800 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2000+ | 0.61 EUR |
| 4000+ | 0.56 EUR |
| 6000+ | 0.54 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 4621 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 77+ | 0.93 EUR |
| 113+ | 0.63 EUR |
| 141+ | 0.51 EUR |
| 250+ | 0.49 EUR |
| 500+ | 0.46 EUR |
| 1000+ | 0.41 EUR |
| 2000+ | 0.37 EUR |
| 4000+ | 0.34 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 527 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 105+ | 1.38 EUR |
| 110+ | 1.3 EUR |
| 250+ | 1.22 EUR |
| 500+ | 1.15 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10533 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 92+ | 1.58 EUR |
| 136+ | 1.05 EUR |
| 179+ | 0.78 EUR |
| 500+ | 0.58 EUR |
| 1000+ | 0.53 EUR |
| 2000+ | 0.49 EUR |
| 4000+ | 0.47 EUR |
| 6000+ | 0.46 EUR |
| 10000+ | 0.4 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 8978 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.24 EUR |
| 13+ | 1.4 EUR |
| 100+ | 0.93 EUR |
| 500+ | 0.73 EUR |
| 1000+ | 0.66 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
MOSFETs 100V 1 N-CH HEXFET 105mOhms 22.7nC
auf Bestellung 15981 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 2.94 EUR |
| 10+ | 1.81 EUR |
| 100+ | 1.2 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| 4000+ | 0.65 EUR |
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
| IRLR3410TRPBF |
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Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3410TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 10015 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH