Technische Details IRLR3636TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 99A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 143W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote IRLR3636TRLPBF nach Preis ab 0.94 EUR bis 3.91 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 628 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 2879 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
auf Bestellung 173 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3636TRLPBF | Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
auf Bestellung 2884 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||
 |
IRLR3636TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||||||
|
|
IRLR3636TRLPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 99A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 143W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 891 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 100 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.01 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.02 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.14 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3000+ | 1.14 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 125+ | 1.17 EUR |
| 126+ | 1.12 EUR |
| 250+ | 1.09 EUR |
| 500+ | 1.07 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 628 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 124+ | 1.18 EUR |
| 125+ | 1.13 EUR |
| 126+ | 1.04 EUR |
| 250+ | 0.99 EUR |
| 500+ | 0.94 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2879 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 46+ | 3.18 EUR |
| 66+ | 2.2 EUR |
| 100+ | 1.56 EUR |
| 500+ | 1.23 EUR |
| 1000+ | 1.12 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 173 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 5+ | 3.54 EUR |
| 10+ | 2.27 EUR |
| 100+ | 1.54 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
MOSFETs MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
auf Bestellung 2884 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.91 EUR |
| 10+ | 2.5 EUR |
| 100+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.45 EUR |
| 1000+ | 1.28 EUR |
| 3000+ | 1.21 EUR |
| 6000+ | 1.15 EUR |
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| IRLR3636TRLPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: INFINEON - IRLR3636TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 99 A, 6800 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 99A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 143W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0054ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
auf Bestellung 891 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)