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IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 143W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2000+1.2 EUR
4000+1.12 EUR
6000+1.08 EUR
10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
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2000+1.36 EUR
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
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347+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.51 EUR
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
78+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON TECHNOLOGIES IRLR3636TRPBF.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
29+2.98 EUR
35+2.49 EUR
39+2.19 EUR
48+1.78 EUR
56+1.54 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+3.24 EUR
78+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
76+2.26 EUR
107+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
53+3.31 EUR
76+2.21 EUR
107+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
6+4.13 EUR
10+2.64 EUR
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Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
54+4.68 EUR
72+3.22 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
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Mindestbestellmenge: 54 Stücke
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
auf Bestellung 4203 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+4.71 EUR
10+2.92 EUR
100+2.09 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.45 EUR
4000+1.29 EUR
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IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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IRLR3636TRPBF
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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2000+1.13 EUR
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Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.2 EUR
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10000+1.04 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 18000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2000+1.36 EUR
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
347+1.88 EUR
500+1.67 EUR
1000+1.51 EUR
Mindestbestellmenge: 347 Stücke
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IRLR3636TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
78+2.24 EUR
Mindestbestellmenge: 78 Stücke
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IRLR3636TRPBF
Hersteller: INFINEON TECHNOLOGIES
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 417 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
29+2.98 EUR
35+2.49 EUR
39+2.19 EUR
48+1.78 EUR
56+1.54 EUR
100+1.32 EUR
Mindestbestellmenge: 29 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 88 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+3.24 EUR
78+2.17 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.31 EUR
76+2.26 EUR
107+1.57 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.14 EUR
2000+1 EUR
4000+0.95 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
53+3.31 EUR
76+2.21 EUR
107+1.52 EUR
500+1.19 EUR
1000+1.06 EUR
2000+0.9 EUR
4000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 53 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 11565 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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10+2.64 EUR
100+1.78 EUR
500+1.42 EUR
1000+1.31 EUR
Mindestbestellmenge: 6 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
IRLR3636TRPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 2673 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
54+4.68 EUR
72+3.22 EUR
100+2.19 EUR
500+1.75 EUR
1000+1.59 EUR
Mindestbestellmenge: 54 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
auf Bestellung 4203 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
1+4.71 EUR
10+2.92 EUR
100+2.09 EUR
500+1.73 EUR
1000+1.55 EUR
2000+1.45 EUR
4000+1.29 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLR3636TRPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 21 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 21 Stücke
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