Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF

IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLR3636TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRLR3636TRPBF nach Preis ab 0.71 EUR bis 2.59 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 6000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.89 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.96 EUR
1000+0.88 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 1000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
500+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 500
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
99+1.47 EUR
Mindestbestellmenge: 99
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
347+1.56 EUR
500+1.36 EUR
1000+1.2 EUR
Mindestbestellmenge: 347
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 223 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
92+1.57 EUR
99+1.42 EUR
104+1.3 EUR
159+0.81 EUR
Mindestbestellmenge: 92
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4252 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
73+1.99 EUR
85+1.66 EUR
100+1.54 EUR
200+1.05 EUR
500+0.94 EUR
Mindestbestellmenge: 73
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFETs 60V 1 N-CH HEXFET 6.8mOhms 33nC
auf Bestellung 7330 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.38 EUR
10+2.15 EUR
25+2.08 EUR
100+1.48 EUR
500+1.18 EUR
1000+1.12 EUR
2000+1.05 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
39+1.85 EUR
95+0.76 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF11D881CECD5EA&compId=IRLR3636TRPBF.pdf?ci_sign=b6220a740730b6ab7b23975b33855f69170c505b Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 99A; 143W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 99A
Power dissipation: 143W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
auf Bestellung 2004 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
30+2.39 EUR
39+1.85 EUR
95+0.76 EUR
101+0.71 EUR
Mindestbestellmenge: 30
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 11945 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
7+2.59 EUR
10+2.24 EUR
100+1.54 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.21 EUR
Mindestbestellmenge: 7
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22575 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3636TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 22581 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 521 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3636-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3636TRPBF IRLR3636TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3636pbf.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH