Weitere Produktangebote IRLR3705ZTRPBF nach Preis ab 0.55 EUR bis 3.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 92000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 1670 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 89A; 130W; DPAK Kind of package: reel Case: DPAK Kind of channel: enhancement Mounting: SMD Technology: HEXFET® Features of semiconductor devices: logic level Type of transistor: N-MOSFET Drain-source voltage: 55V Drain current: 89A Power dissipation: 130W Polarisation: unipolar |
auf Bestellung 1737 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 3251 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 42A, 10V Power Dissipation (Max): 130W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V |
auf Bestellung 20400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 89A 8mOhm 44nC Log Lvl |
auf Bestellung 9998 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3705ZTRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 42 A, 8000 µohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 42A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 130W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 1329 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 89A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| IRLR3705ZTRPBF | Hersteller : International Rectifier |
TO252 Група товару: Транзистори Од. вим: шт |
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| IRLR2905Z Китай Produktcode: 211511
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Hersteller: Китай
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: D-Pak (TO-252)
Uds,V: 55 V
Idd,A: 42 A
Rds(on), Ohm: 13,5 mOhm
Ciss, pF/Qg, nC: 1570/23
JHGF: SMD
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