Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLR3915TRPBF
IRLR3915TRPBF

IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.78 EUR
4000+0.72 EUR
6000+0.65 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLR3915TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Weitere Produktangebote IRLR3915TRPBF nach Preis ab 0.62 EUR bis 2.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.81 EUR
4000+0.78 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 14000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 10000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
2000+0.84 EUR
Mindestbestellmenge: 2000
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 4559 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl Preis
70+2.08 EUR
100+1.42 EUR
200+1.25 EUR
500+0.99 EUR
1000+0.89 EUR
2000+0.72 EUR
4000+0.62 EUR
Mindestbestellmenge: 70
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3915pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d83e126ba Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
auf Bestellung 4104 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
8+2.31 EUR
11+1.63 EUR
100+1.23 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.91 EUR
Mindestbestellmenge: 8
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3915_DataSheet_v01_01_EN-3363599.pdf MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl
auf Bestellung 2912 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
Anzahl Preis
2+2.41 EUR
10+1.71 EUR
100+1.26 EUR
500+1.01 EUR
1000+0.91 EUR
2000+0.83 EUR
4000+0.79 EUR
Mindestbestellmenge: 2
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905623-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 120W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 4791 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 20000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3915-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF127303F0515EA&compId=IRLR3915TRPBF.pdf?ci_sign=2a546e3321d7785d96f1b8df8cb817a035b9b316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLR3915TRPBF IRLR3915TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED49FF127303F0515EA&compId=IRLR3915TRPBF.pdf?ci_sign=2a546e3321d7785d96f1b8df8cb817a035b9b316 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 61A
Power dissipation: 120W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Produkt ist nicht verfügbar
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH