IRLR3915TRPBF Infineon Technologies
Hersteller: Infineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 2000+ | 0.81 EUR |
| 4000+ | 0.78 EUR |
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Technische Details IRLR3915TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 120W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLR3915TRPBF nach Preis ab 0.63 EUR bis 2.52 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||||
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 4559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1870 pF @ 25 V |
auf Bestellung 4104 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 61A 14mOhm 61nC Log Lvl |
auf Bestellung 1064 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR3915TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 120W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 4794 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 20000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 55V 61A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 61A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke |
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IRLR3915TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 61A; 120W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 61A Power dissipation: 120W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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