IRLR8259TRPBF Infineon Technologies
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 2.01 EUR |
| 10+ | 1.52 EUR |
| 100+ | 1.12 EUR |
| 500+ | 0.92 EUR |
| 1000+ | 0.8 EUR |
| 2000+ | 0.73 EUR |
| 4000+ | 0.71 EUR |
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Technische Details IRLR8259TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 25V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 57A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRLR8259TRPBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRLR8259TRPBF | Infineon Technologies |
 Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAKPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLR8259TRPBF | Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V |
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IRLR8259TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLR8259TRPBF | INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 25V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 57A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRLR8259TRPBF | Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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Mindestbestellmenge: 2000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLR8259TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
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| IRLR8259TRPBF |
|
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
Description: MOSFET N-CH 25V 57A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 57A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.7mOhm @ 21A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: TO-252AA (DPAK)
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 13 V
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| IRLR8259TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 25V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 57A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
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| IRLR8259TRPBF |
|
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.9V
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Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Description: INFINEON - IRLR8259TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 25 V, 57 A, 0.0063 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0063ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 500 Stücke
Im Einkaufswagen
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| IRLR8259TRPBF |
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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Trans MOSFET N-CH 25V 57A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2000 Stücke
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