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IRLR9343TRPBF

IRLR9343TRPBF Infineon Technologies

infineon-irlr9343-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details IRLR9343TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr9343-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr9343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671a5722702 Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr9343-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR9343_DataSheet_v01_01_EN-3363417.pdf MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
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10+1.32 EUR
25+1.27 EUR
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies irlr9343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671a5722702 Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
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9+2.18 EUR
13+1.38 EUR
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500+0.72 EUR
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : INFINEON IRSDS10976-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.093 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 79W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
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IRLR9343TRPBF Hersteller : International Rectifier/Infineon irlr9343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671a5722702 P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 20; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50; Qg, нКл = 47 нС @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В; Ugs(th) = ±20 В; Р, Вт = 79 Вт; Тексп, °C = -40...+175; Тип монт. = smd; TO-252AA; D-PAK
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IRLR9343TRPBF
Produktcode: 201393
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr9343-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22281BCD47E0AF1A303005056AB0C4F&compId=irlr9343pbf.pdf?ci_sign=75d97c5ddc279c59419ed2ddad89b8f640b34891 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 2000 Stücke
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E22281BCD47E0AF1A303005056AB0C4F&compId=irlr9343pbf.pdf?ci_sign=75d97c5ddc279c59419ed2ddad89b8f640b34891 Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -55V
Drain current: -20A
Power dissipation: 79W
Case: DPAK
Mounting: SMD
Kind of package: reel
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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