IRLR9343TRPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLR9343TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 79W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLR9343TRPBF nach Preis ab 0.37 EUR bis 2.13 EUR
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Preis | ||||||||||||||||
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 23984 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC |
auf Bestellung 13625 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: PG-TO252-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V |
auf Bestellung 4531 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 5795 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLR9343TRPBF - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 55 V, 20 A, 0.105 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 79W Bauform - Transistor: TO-252AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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| IRLR9343TRPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
P-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 20; Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50; Qg, нКл = 47 нС @ 10 В; Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В; Ugs(th) = ±20 В; Р, Вт = 79 Вт; Тексп, °C = -40...+175; Тип монт. = smd; TO-252AA; D-PAK |
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IRLR9343TRPBF Produktcode: 201393
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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IRLR9343TRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD P channel transistors Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -55V; -20A; 79W; DPAK Type of transistor: P-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: -55V Drain current: -20A Power dissipation: 79W Case: DPAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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