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IRLR9343TRPBF

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Produktcode: 201393
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Transistoren > Transistoren P-Kanal-Feld

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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies infineonirlr9343datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies infineonirlr9343datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies infineonirlr9343datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies infineonirlr9343datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET P-CH Si 55V 20A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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111+1.57 EUR
159+1.07 EUR
500+0.83 EUR
1000+0.76 EUR
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies irlr9343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671a5722702 Description: MOSFET P-CH 55V 20A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 47 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
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8+2.98 EUR
12+1.88 EUR
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IRLR9343TRPBF IRLR9343TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRLR9343_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs 30V 1 P-CH HEXFET 105mOhms 31nC
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10+2.12 EUR
100+1.4 EUR
500+1.12 EUR
1000+0.99 EUR
2000+0.9 EUR
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IRLR9343TRPBF International Rectifier/Infineon irlr9343pbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671a5722702 P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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IRLR9343TRPBF
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Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 3.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: PG-TO252-3
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Vgs (Max): ±20V
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Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 660 pF @ 50 V
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Hersteller: International Rectifier/Infineon
P-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 20, Ciss, пФ @ Uds, В = 660 @ 50, Qg, нКл = 47 нС @ 10 В, Rds = 105 мОм @ 3.4 А, 10 В, Ugs(th) = ±20 В, Р, Вт = 79 Вт, Тексп, °C = -40...+175, Тип монт. = smd, TO-252AA,... Транзистори Корпус: D-PAK Од. вим: шт
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