IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies
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| Anzahl | Preis |
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| 800+ | 2.13 EUR |
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Technische Details IRLS3036TRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 270A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 380W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLS3036TRLPBF nach Preis ab 2.14 EUR bis 6.37 EUR
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 60V 270A 2.4mOhm 91nC Log Lvl |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLS3036TRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 270 A, 2400 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 270A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 380W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2400µohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 270A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 195A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 195A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4mOhm @ 165A, 10V Power Dissipation (Max): 380W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11210 pF @ 50 V |
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IRLS3036TRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 270A; 380W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 270A Power dissipation: 380W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of package: reel Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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