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IRLS4030TRL7PP

IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies


infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRLS4030TRL7PP Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 370W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon Technologies irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLS4030_7P_DataSheet_v01_01_EN-3363636.pdf MOSFETs MOSFT 100V 190A 3.9mOhm 93nC-7
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 116 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLS4030TRL7PP - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 190 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 370W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
auf Bestellung 116 Stücke:
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon Technologies infineon-irls4030-7p-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 190A 7-Pin(6+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713
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IRLS4030TRL7PP IRLS4030TRL7PP Hersteller : Infineon Technologies irls4030-7ppbf.pdf?fileId=5546d462533600a401535671d8902713 Description: MOSFET N-CH 100V 190A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab), TO-263CB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 110A, 10V
Power Dissipation (Max): 370W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK (7-Lead)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11490 pF @ 50 V
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