IRLU120NPBF INFINEON
Hersteller: INFINEONDescription: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Technische Details IRLU120NPBF INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 10A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLU120NPBF nach Preis ab 0.42 EUR bis 23.84 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
IRLU120NPBF THT N channel transistors |
auf Bestellung 3 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF Produktcode: 48939
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Uds,V: 100 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 JHGF: THT ZCODE: 8542 31 90 00 |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
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