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IRLU120NPBF

IRLU120NPBF

irlr120npbf-1732870.pdf
Produktcode: 48939
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-251
Drain-Source-Spannung Uds, V: 100 В
Drain-Strom Idd, A: 10 А
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,185 Ом
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 440/20
Montage: THT
ZCODE: 8542 31 90 00
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Technische Details IRLU120NPBF IR

  • MOSFET, N, 100V, 11A, I-PAK
  • Transistor Polarity:N
  • Max Voltage Vds:100V
  • On State Resistance:0.185ohm
  • Power Dissipation:48W
  • Transistor Case Style:I-PAK
  • Alternate Case Style:I-PAK
  • Case Style:I-PAK
  • Cont Current Id:10A
  • Current Temperature:25`C
  • Full Power Rating Temperature:25`C
  • Junction to Case Thermal Resistance A:3.2`C/W
  • Max Voltage Vgs th:2V
  • On State resistance @ Vgs = 10V:0.185ohm
  • Power Dissipation Pd:48W
  • Pulse Current Idm:35A
  • Termination Type:Through Hole
  • Transistor Type:MOSFET
  • Typ Voltage Vds:100V
  • Typ Voltage Vgs th:2V
  • Voltage Vds:100V
  • Voltage Vgs Rds on Measurement:10V

Weitere Produktangebote IRLU120NPBF nach Preis ab 0.7 EUR bis 1.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLU120NPBF IRLU120NPBF INFINEON INFN-S-A0012905041-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 description Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
auf Bestellung 1425 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
234+1.07 EUR
285+0.81 EUR
286+0.75 EUR
500+0.7 EUR
Mindestbestellmenge: 234 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 15 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 6 Stücke
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IRLU120NPBF IRLU120NPBF Infineon Technologies infineonirlr120ndatasheetv0101en.pdf description Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU120NPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
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Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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