IRLU120NPBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLU120NPBF Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA), Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V, Vgs (Max): ±16V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote IRLU120NPBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.13 EUR
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2450 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 11A 185mOhm 13.3nC LogLv |
auf Bestellung 19400 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 5527 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3297 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 10A; 48W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 10A Power dissipation: 48W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 0.185Ω Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 110 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2900 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 10A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 440 pF @ 25 V |
auf Bestellung 1175 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU120NPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10 A, 0.185 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 3914 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 10A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3875 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU120NPBF Produktcode: 48939
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-251 Uds,V: 100 V Idd,A: 10 A Rds(on), Ohm: 0,185 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 440/20 JHGF: THT ZCODE: 8542 31 90 00 |
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