IRLU2905 JSMicro
Produktcode: 189658
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Lieblingsprodukt
Hersteller: JSMicro
Gehäuse: I-Pak
Uds,V: 60 V
Idd,A: 35 A
Rds(on), Ohm: 0,025 Ohm
Ciss, pF/Qg, nC: 670/11
Bem.: Керування логічним рівнем
JHGF: THT
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Möglichen Substitutionen IRLU2905 JSMicro
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IRLU2905PBF Produktcode: 184659
2
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : VBsemi |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: I-Pak Uds,V: 60 V Idd,A: 35 A Rds(on), Ohm: 0,032 Ohm Ciss, pF/Qg, nC: 1100/46 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: THT |
auf Bestellung 78 St.: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Weitere Produktangebote IRLU2905
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| IRLU2905 | Hersteller : IR |
09+ |
auf Bestellung 5030 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
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IRLU2905 | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 42A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V Voltage Coupled to Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5 Voltage Coupled to Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 25 |
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