IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
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| 3000+ | 1.14 EUR |
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Technische Details IRLU3110ZPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 63A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 140W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote IRLU3110ZPBF nach Preis ab 1.14 EUR bis 3.45 EUR
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 63A; 140W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 63A Power dissipation: 140W Case: IPAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 34nC Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
auf Bestellung 137 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 63A 14mOhm 34nC Log Lvl |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3110ZPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 63 A, 0.011 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 63A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 140W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 68 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 21225 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 42A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 38A, 10V Power Dissipation (Max): 140W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3980 pF @ 25 V |
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IRLU3110ZPBF Produktcode: 32113
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Lieblingsprodukt
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Hersteller : IR |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: D-Pak Uds,V: 100 Idd,A: 63 Rds(on), Ohm: 0.014 Ciss, pF/Qg, nC: 3980/34 Bem.: Керування логічним рівнем JHGF: SMD |
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IRLU3110ZPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 63A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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