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IRLU3410PBF

IRLU3410PBF Infineon Technologies

infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Technische Details IRLU3410PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN-3363598.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
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10+2.08 EUR
25+1.06 EUR
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1000+0.74 EUR
3000+0.68 EUR
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012905746-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlr3410-datasheet-v02_02-en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E2227F54094AD8F1A303005056AB0C4F&compId=irlr3410pbf.pdf?ci_sign=799d9cc7f112882e2790faffd45c9b81f115902a Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Case: IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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