IRLU3410PBF Infineon Technologies
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Technische Details IRLU3410PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 52W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm, SVHC: Lead (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLU3410PBF nach Preis ab 0.36 EUR bis 2.08 EUR
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 41550 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 79W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv |
auf Bestellung 11283 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 769 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6400 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3410PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
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IRLU3410PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
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IRLU3410PBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 15A Power dissipation: 52W Case: IPAK Mounting: THT Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
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