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IRLU3410PBF

IRLU3410PBF Infineon Technologies

infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 21550 Stücke:
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Technische Details IRLU3410PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 15A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: -, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, Verlustleistung: 52W, SVHC: Lead (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 462 Stücke:
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139+1.06 EUR
250+1 EUR
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies infineonirlr3410datasheetv0202en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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237+0.57 EUR
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1000+0.5 EUR
2500+0.42 EUR
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Mindestbestellmenge: 114 Stücke
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON TECHNOLOGIES irlr3410pbf.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
auf Bestellung 75 Stücke:
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46+1.57 EUR
75+0.96 EUR
Mindestbestellmenge: 46 Stücke
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
auf Bestellung 5549 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+2.6 EUR
75+1.16 EUR
150+1.03 EUR
525+0.86 EUR
1050+0.79 EUR
2025+0.73 EUR
5025+0.66 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3410_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 100V 15A 105mOhm 22.7nC LogLv
auf Bestellung 7440 Stücke:
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1+2.99 EUR
10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.8 EUR
6000+0.77 EUR
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IRLU3410PBF IRLU3410PBF INFINEON irlr3410pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d14c52695 Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.105ohm
auf Bestellung 3644 Stücke:
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Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 15A; 52W; IPAK
Mounting: THT
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®
Case: IPAK
Features of semiconductor devices: logic level
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain current: 15A
Power dissipation: 52W
Drain-source voltage: 100V
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Description: MOSFET N-CH 100V 17A IPAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 79W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK (TO-251AA)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 800 pF @ 25 V
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10+1.88 EUR
100+1.24 EUR
500+0.98 EUR
1000+0.87 EUR
3000+0.8 EUR
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IRLU3410PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3410PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15 A, 0.105 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 52W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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