Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLU3636PBF
IRLU3636PBF

IRLU3636PBF Infineon Technologies

infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLU3636PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 143W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018), Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm.

Weitere Produktangebote IRLU3636PBF nach Preis ab 1.52 EUR bis 9.67 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
116+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.69 EUR
81+2.15 EUR
90+1.9 EUR
100+1.84 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
66+2.69 EUR
81+2.11 EUR
90+1.83 EUR
100+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
189+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.2 EUR
10+3.17 EUR
100+2.81 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.28 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF INFINEON INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
48+5.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
1+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3951 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
116+1.52 EUR
Mindestbestellmenge: 116 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.69 EUR
81+2.15 EUR
90+1.9 EUR
100+1.84 EUR
500+1.8 EUR
1000+1.75 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 4146 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
66+2.69 EUR
81+2.11 EUR
90+1.83 EUR
100+1.75 EUR
500+1.65 EUR
1000+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 66 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 3860 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
1000+2.23 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
auf Bestellung 976 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
237+2.8 EUR
500+2.48 EUR
Mindestbestellmenge: 237 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698
IRLU3636PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
auf Bestellung 6533 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
189+2.87 EUR
Mindestbestellmenge: 189 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf
IRLU3636PBF
Hersteller: Infineon Technologies
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
auf Bestellung 2172 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.2 EUR
10+3.17 EUR
100+2.81 EUR
500+2.4 EUR
1000+2.28 EUR
3000+1.92 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF INFN-S-A0012905271-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRLU3636PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 143W
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
auf Bestellung 1712 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
48+5.3 EUR
62+3.78 EUR
100+2.83 EUR
500+2.73 EUR
1000+2.42 EUR
Mindestbestellmenge: 48 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLU3636PBF IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698
IRLU3636PBF
Hersteller: International Rectifier
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+9.67 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH