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IRLU3636PBF

IRLU3636PBF Infineon Technologies

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Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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Technische Details IRLU3636PBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies infineonirlr3636datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF Infineon Technologies Infineon_IRLR3636_DataSheet_v01_01_EN-3363622.pdf MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF International Rectifier IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Транзистори
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IRLU3636PBF IRLU3636PBF INFINEON IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
auf Bestellung 1712 Stücke:
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IRLU3636PBF International Rectifier HiRel Products IRSDS10828-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw irlr3636pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153566d1e122698 Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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IRLU3636PBF
Hersteller: International Rectifier
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 143W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V
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IRLU3636PBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 6800 µohm, TO-251AA, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 143W
Bauform - Transistor: TO-251AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6800µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2018)
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Hersteller: International Rectifier HiRel Products
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
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