IRLU3636PBF Infineon Technologies
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| 133+ | 1.09 EUR |
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Technische Details IRLU3636PBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 50A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 143W, Bauform - Transistor: TO-251AA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
Weitere Produktangebote IRLU3636PBF nach Preis ab 0.41 EUR bis 2.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 2932 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 7246 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 1780 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : International Rectifier |
Description: IRLU3636 - 12V-300V N-CHANNEL PO Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
auf Bestellung 533 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 6275 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFET MOSFT 60V 99A 6.8mOhm 33nC Log Lvl |
auf Bestellung 2172 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLU3636PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 50 A, 0.0054 ohm, TO-251AA, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 50A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 143W Bauform - Transistor: TO-251AA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0054ohm SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
auf Bestellung 3559 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU3636PBF | Hersteller : International Rectifier HiRel Products |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 99A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
auf Bestellung 439 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLU3636PBF | Hersteller : International Rectifier Corporation |
MOSFET N-CH 60V 50A IPAK |
auf Bestellung 12 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLU3636PBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 60V 50A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.8mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 143W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 100µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3779 pF @ 50 V |
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