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IRLZ14 Siliconix

irl620.pdf Hersteller: Siliconix
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14PBF IRLZ14 TIRLZ14
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Technische Details IRLZ14 Siliconix

Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V, Power Dissipation (Max): 43W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220AB, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V, Vgs (Max): ±10V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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IRLZ14 IRLZ14
Produktcode: 24762
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Hersteller : IR irl620.pdf Transistoren > MOSFET N-CH
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 04.08.400
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: THT
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IRLZ14 IRLZ14 Hersteller : Vishay sihlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLZ14 IRLZ14 Hersteller : Vishay Siliconix irl620.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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