IRLZ14
Produktcode: 24762
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 01.05.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 04.08.400
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: THT
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Technische Details IRLZ14 IR
- MOSFET, N LOGIC TO-220
- Transistor Type:MOSFET
- Transistor Polarity:N
- Cont Current Id:10A
- On State Resistance:0.2ohm
- Case Style:TO-220AB
- Current Temperature:25`C
- Full Power Rating Temperature:25`C
- Lead Spacing:2.54mm
- Max Voltage Vds:60V
- Max Voltage Vgs th:2V
- No. of Pins:3
- No. of Transistors:1
- Power Dissipation:43W
- Power Dissipation Pd:43W
- Pulse Current Idm:40A
- Transistor Case Style:TO-220AB
Weitere Produktangebote IRLZ14 nach Preis ab 1.07 EUR bis 1.07 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRLZ14 | Hersteller : Siliconix |
N-MOSFET 10A 60V 43W 0.2Ω IRLZ14 IRLZ14 TIRLZ14 Anzahl je Verpackung: 50 Stücke |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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IRLZ14 | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLZ14 | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLZ14 | Hersteller : Vishay / Siliconix |
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Produkt ist nicht verfügbar |