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IRLZ14PBF

IRLZ14PBF

irlz14.pdf
Produktcode: 40553
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 04.08.400
JHGF: THT
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
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56+1.29 EUR
88+0.81 EUR
142+0.5 EUR
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Mindestbestellmenge: 56
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED5BAB9D4A2B39971BF&compId=IRLZ14PBF-DTE.pdf?ci_sign=91b0d98a6dc8779b1ecdd35e44f2752f752d81d8 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
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On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay Semiconductors irlz14.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay Siliconix irlz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : VISHAY VISH-S-A0013856995-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay sihlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Hersteller : Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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