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IRLZ14PBF

IRLZ14PBF

irlz14.pdf
Produktcode: 40553
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Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Montage: THT
verfügbar: 12 St.
  • 12 St. - stock Köln
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10+0.75 EUR
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
auf Bestellung 3982 Stücke:
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Mindestbestellmenge: 141 Stücke
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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151+1.11 EUR
500+0.92 EUR
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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117+1.5 EUR
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500+1.14 EUR
750+1.08 EUR
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay irlz14.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay Semiconductors irlz14.pdf MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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2000+0.99 EUR
5000+0.98 EUR
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF Vishay Siliconix irlz14.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY VISH-S-A0019267791-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
auf Bestellung 3000 Stücke:
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49+5.15 EUR
115+2.03 EUR
155+1.39 EUR
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IRLZ14PBF IRLZ14PBF VISHAY IRLZ14PBF-DTE.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
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IRLZ14PBF
Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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AnzahlPrivatkunde
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MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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AnzahlPrivatkunde
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Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 43W
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 40A
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