IRLZ14PBF
Produktcode: 40553
Hersteller: IRGehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 10
Rds(on), Ohm: 01.02.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 04.08.400
JHGF: THT
verfügbar 12 St.:
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 0.7 EUR |
| 10+ | 0.57 EUR |
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Weitere Produktangebote IRLZ14PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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IRLZ14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
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IRLZ14PBF | Hersteller : VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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IRLZ14PBF | Hersteller : Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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IRLZ14PBF | Hersteller : Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 5V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±10V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.4 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V |
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IRLZ14PBF | Hersteller : Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A |
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IRLZ14PBF | Hersteller : VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Mounting: THT Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.28Ω Gate-source voltage: ±10V Pulsed drain current: 40A Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube |
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