IRLZ14PBF
Produktcode: 40553
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Lieblingsprodukt
Hersteller: IR
Gehäuse: TO-220
Drain-Source-Spannung Uds, V: 60 V
Drain-Strom Idd, A: 10 A
Durchlasswiderstand Rds(on), Ohm: 0,2 Ohm
Eingangskapazität Ciss, pF / Gate-Ladung Qg, nC: 400/8,4
Montage: THT
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Weitere Produktangebote IRLZ14PBF
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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IRLZ14PBF | Vishay Siliconix |
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLZ14PBF | Vishay Semiconductors |
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLZ14PBF | VISHAY |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 7.2A Pulsed drain current: 40A Power dissipation: 43W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±10V On-state resistance: 0.28Ω Mounting: THT Gate charge: 8.4nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement |
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IRLZ14PBF | VISHAY |
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 43W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLZ14PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 310 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLZ14PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
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IRLZ14PBF | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IRLZ14PBF |
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Hersteller: Vishay Siliconix
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
Description: MOSFET N-CH 60V 10A TO220AB
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| IRLZ14PBF |
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Hersteller: Vishay Semiconductors
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
MOSFETs TO220 N-CH 60V 10A
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| IRLZ14PBF |
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Hersteller: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 7.2A; Idm: 40A; 43W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 7.2A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 43W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 8.4nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
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| IRLZ14PBF |
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Hersteller: VISHAY
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - IRLZ14PBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 10 A, 0.2 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.2ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
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Stück im Wert von UAH
| IRLZ14PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 310 Stücke
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| IRLZ14PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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Stück im Wert von UAH
| IRLZ14PBF |
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Hersteller: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 60V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
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Mindestbestellmenge: 1000 Stücke
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