IRLZ24NS

IRLZ24NS


irlz24ns-datasheet.pdf
Produktcode: 99543
Hersteller: IR
Gehäuse: D2Pak (TO-263-3)
Uds,V: 55
Idd,A: 18
Rds(on), Ohm: 01.06.2000
Ciss, pF/Qg, nC: 480/15
Bem.: Управління логічним рівнем
JHGF: SMD
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IRLZ24NS IRLZ24NS Hersteller : Infineon Technologies Infineon-IRLZ24NS-DS-v01_00-EN.pdf?fileId=5546d46262b31d2e01633d69489b467d Description: MOSFET N-CH 55V 18A D2PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 60mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 45W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 480 pF @ 25 V
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