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IRLZ34NSTRLPBF

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Produktcode: 172480
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Transistoren > MOSFET N-CH

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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
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800+0.8 EUR
1600+0.75 EUR
2400+0.73 EUR
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5600+0.69 EUR
8000+0.67 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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800+0.8 EUR
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2400+0.7 EUR
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5600+0.63 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
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800+0.84 EUR
1600+0.76 EUR
2400+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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1600+0.78 EUR
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Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 407 Stücke:
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168+0.87 EUR
170+0.85 EUR
171+0.82 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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168+0.84 EUR
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Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23200 Stücke:
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800+1.18 EUR
1600+1.08 EUR
2400+1.03 EUR
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5600+0.95 EUR
8000+0.92 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7833 Stücke:
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65+2.25 EUR
89+1.62 EUR
90+1.57 EUR
91+1.52 EUR
121+1.13 EUR
250+1.04 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34ns.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
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74+2.56 EUR
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Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 3216 Stücke:
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1+3.48 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
500+1.21 EUR
800+1.08 EUR
2400+1.01 EUR
4800+0.96 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722 Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23569 Stücke:
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5+3.66 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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IRLZ34NSTRLPBF IRLZ34NSTRLPBF INFINEON 107911.pdf Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
 Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF International Rectifier/Infineon irlz34npbf.pdf N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.8 EUR
1600+0.75 EUR
2400+0.73 EUR
4000+0.71 EUR
5600+0.69 EUR
8000+0.67 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 43200 Stücke:
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AnzahlPreis
800+0.8 EUR
1600+0.73 EUR
2400+0.7 EUR
4000+0.67 EUR
5600+0.63 EUR
8000+0.6 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.84 EUR
1600+0.76 EUR
2400+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 3200 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
800+0.84 EUR
1600+0.78 EUR
2400+0.76 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 407 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
168+0.87 EUR
170+0.85 EUR
171+0.82 EUR
250+0.8 EUR
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Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 407 Stücke:
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AnzahlPreis
167+0.88 EUR
168+0.84 EUR
170+0.8 EUR
171+0.76 EUR
250+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 167 Stücke
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23200 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
800+1.18 EUR
1600+1.08 EUR
2400+1.03 EUR
4000+0.98 EUR
5600+0.95 EUR
8000+0.92 EUR
Mindestbestellmenge: 800 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 7833 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
65+2.25 EUR
89+1.62 EUR
90+1.57 EUR
91+1.52 EUR
121+1.13 EUR
250+1.04 EUR
500+0.73 EUR
Mindestbestellmenge: 65 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
auf Bestellung 1600 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPreis
74+2.56 EUR
Mindestbestellmenge: 74 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf
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Hersteller: Infineon Technologies
MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl
auf Bestellung 3216 Stücke:
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AnzahlPreis
1+3.48 EUR
10+2.2 EUR
100+1.49 EUR
500+1.21 EUR
800+1.08 EUR
2400+1.01 EUR
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IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V
auf Bestellung 23569 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPreis
5+3.66 EUR
10+2.33 EUR
100+1.57 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF 107911.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF 107911.pdf
IRLZ34NSTRLPBF
Hersteller: INFINEON
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 68W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
auf Bestellung 11744 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
IRLZ34NSTRLPBF irlz34npbf.pdf
Hersteller: International Rectifier/Infineon
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
verfügbar 11 Stücke:
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH