Weitere Produktangebote IRLZ34NSTRLPBF nach Preis ab 0.6 EUR bis 3.12 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 44000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 3200 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 407 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 23200 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 1600 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R |
auf Bestellung 7833 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl |
auf Bestellung 1698 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V |
auf Bestellung 23615 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 30A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 68W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 12055 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : International Rectifier/Infineon |
N-канальний ПТ, Udss, В = 55, Id = 30 А, Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25, Qg, нКл = 25 @ 5 В, Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В, Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА, Р, Вт = 3,8, 68, Тексп, °C = -55...+175, Тип монт. = smd,... Група товару: Транзистори Корпус: D2PAK Од. вим: шт Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
verfügbar 11 Stücke: |
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| IRLZ34NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 21A Pulsed drain current: 110A Power dissipation: 68W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±16V On-state resistance: 35mΩ Mounting: SMD Kind of channel: enhancement |
Produkt ist nicht verfügbar |