Produkte > INFINEON TECHNOLOGIES > IRLZ34NSTRLPBF

IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Name: IRLZ34NSTRLPBF
Brand: Infineon Technologies
SKU: 8159848-5
Price: 144.00 EUR
Availability: InStock

Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
192+	0.75 EUR
194+	0.71 EUR
207+	0.64 EUR
250+	0.58 EUR

Mindestbestellmenge: 192

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

Produktrezensionen

Produktbewertung abgeben

Technische Details IRLZ34NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 68W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 68W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: No, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Weitere Produktangebote IRLZ34NSTRLPBF nach Preis ab 0.56 EUR bis 3.24 EUR

Foto

Bezeichnung

Hersteller

Beschreibung

Verfügbarkeit

Preis

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
800+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 36800 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
800+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 407 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
184+	0.78 EUR
192+	0.72 EUR
194+	0.69 EUR
207+	0.62 EUR
250+	0.56 EUR

Mindestbestellmenge: 184

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

irlz34nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567210152722

Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

auf Bestellung 23200 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
800+	0.92 EUR
1600+	0.84 EUR
2400+	0.81 EUR
4000+	0.77 EUR
5600+	0.76 EUR

Mindestbestellmenge: 800

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

auf Bestellung 1600 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Anzahl	Preis
76+	1.89 EUR
100+	1.74 EUR
250+	1.61 EUR
500+	1.49 EUR
1000+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 76

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Infineon_IRLZ34NS_DataSheet_v01_01_EN.pdf

MOSFETs MOSFT 55V 30A 35mOhm 16.7nC LogLvl

auf Bestellung 1310 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
2+	2.71 EUR
10+	1.87 EUR
100+	1.3 EUR
500+	0.96 EUR
800+	0.87 EUR

Mindestbestellmenge: 2

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Description: MOSFET N-CH 55V 30A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 35mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 880 pF @ 25 V

auf Bestellung 23700 Stücke:

Lieferzeit 10-14 Tag (e)

Anzahl	Preis
6+	3.24 EUR
10+	2.06 EUR
100+	1.39 EUR

Mindestbestellmenge: 6

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 12110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : INFINEON

Description: INFINEON - IRLZ34NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 30 A, 0.035 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.035ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)

auf Bestellung 12110 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : International Rectifier/Infineon

N-канальний ПТ; Udss, В = 55; Id = 30 А; Ciss, пФ @ Uds, В = 880 @ 25; Qg, нКл = 25 @ 5 В; Rds = 35 мОм @ 16 A, 10 В; Ugs(th) = 2 В @ 250 мкА; Р, Вт = 3,8; 68; Тексп, °C = -55...+175; Тип монт. = smd; D2PAK

auf Bestellung 11 Stücke:

Lieferzeit 14-21 Tag (e)

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF
Produktcode: 172480

zu Favoriten hinzufügen Lieblingsprodukt

Transistoren > MOSFET N-CH

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : Infineon Technologies

Trans MOSFET N-CH 55V 30A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH

IRLZ34NSTRLPBF

Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 21A; Idm: 110A; 68W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 21A
Pulsed drain current: 110A
Power dissipation: 68W
Case: D2PAK
Gate-source voltage: ±16V
On-state resistance: 35mΩ
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Technology: HEXFET®

Produkt ist nicht verfügbar

Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH