
IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies
auf Bestellung 4000 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Anzahl | Preis |
---|---|
800+ | 0.80 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote IRLZ44NSTRLPBF nach Preis ab 0.61 EUR bis 2.29 EUR
Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 4000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 505 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 330 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 5600 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
auf Bestellung 1079 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: D2PAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V |
auf Bestellung 6263 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON |
![]() tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 55V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 47A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 110W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 353 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF Produktcode: 75607
zu Favoriten hinzufügen
Lieblingsprodukt
|
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar
|
||||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
![]() |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level Anzahl je Verpackung: 800 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
|||||||||||||
![]() |
IRLZ44NSTRLPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Technology: HEXFET® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 55V Drain current: 41A Power dissipation: 83W Case: D2PAK Mounting: SMD Kind of channel: enhancement Features of semiconductor devices: logic level |
Produkt ist nicht verfügbar |