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IRLZ44NSTRLPBF

IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies

infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Hersteller: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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Technische Details IRLZ44NSTRLPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 55V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 47A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 110W, Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies infineon-irlz44ns-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 55V 47A 3-Pin(2+Tab) D2PAK T/R
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178+0.80 EUR
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567221272727 Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies Infineon_IRLZ44NS_DataSheet_v01_01_EN-3363600.pdf MOSFETs MOSFT 55V 47A 22mOhm 32nC Log Lvl
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : Infineon Technologies irlz44nspbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153567221272727 Description: MOSFET N-CH 55V 47A D2PAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 22mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.8W (Ta), 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: D2PAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : INFINEON INFN-S-A0012813476-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRLZ44NSTRLPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 47 A, 0.022 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
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Dauer-Drainstrom Id: 47A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 110W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.022ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
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Produktcode: 75607
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Anzahl je Verpackung: 800 Stücke
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IRLZ44NSTRLPBF IRLZ44NSTRLPBF Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES pVersion=0046&contRep=ZT&docId=E222829258BE4CF1A303005056AB0C4F&compId=irlz44nspbf.pdf?ci_sign=54f1cf0a982b6a0bce7784544748b957c0758101 Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 41A; 83W; D2PAK
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: HEXFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 55V
Drain current: 41A
Power dissipation: 83W
Case: D2PAK
Mounting: SMD
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
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