IRS2003STRPBF Infineon Technologies
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| 2+ | 2.08 EUR |
| 10+ | 1.36 EUR |
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| 500+ | 1.08 EUR |
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| 2500+ | 0.92 EUR |
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Technische Details IRS2003STRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRS2003STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8, tariffCode: 85423990, Sinkstrom: 600mA, Treiberkonfiguration: Halbbrücke, rohsCompliant: YES, Leistungsschalter: IGBT, MOSFET, IC-Montage: Oberflächenmontage, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, IC-Gehäuse / Bauform: SOIC, Eingang: Invertierend, nicht invertierend, MSL: MSL 2 - 1 Jahr, usEccn: EAR99, Anzahl der Kanäle: 2Kanäle, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Quellstrom: 290mA, Versorgungsspannung, min.: 10V, euEccn: NLR, Gate-Treiber: -, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Versorgungsspannung, max.: 20V, Eingabeverzögerung: 680ns, Ausgabeverzögerung: 150ns, Betriebstemperatur, max.: 125°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2018).
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Verfügbarkeit |
Preis |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : INFINEON |
 Description: INFINEON - IRS2003STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : INFINEON |
Description: INFINEON - IRS2003STRPBF - MOSFET-Treiber, Halbbrücke, 10V bis 20V Versorgung, 130mA /270mAout, 680ns/150ns Ein/Aus, SOIC-8 tariffCode: 85423990 Sinkstrom: 600mA Treiberkonfiguration: Halbbrücke rohsCompliant: YES Leistungsschalter: IGBT, MOSFET IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - IC-Gehäuse / Bauform: SOIC Eingang: Invertierend, nicht invertierend MSL: MSL 2 - 1 Jahr usEccn: EAR99 Anzahl der Kanäle: 2Kanäle Betriebstemperatur, min.: -40°C Quellstrom: 290mA Versorgungsspannung, min.: 10V euEccn: NLR Gate-Treiber: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Versorgungsspannung, max.: 20V Eingabeverzögerung: 680ns Ausgabeverzögerung: 150ns Betriebstemperatur, max.: 125°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2018) |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 0.6A 2-OUT High and Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Driver 200V 2-OUT High Side/Low Side Half Brdg Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC N T/R |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 750ns Turn-off time: 180ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : Infineon Technologies |
Description: IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SOIC Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ) Voltage - Supply: 10V ~ 20V Input Type: Inverting, Non-Inverting High Side Voltage - Max (Bootstrap): 200 V Supplier Device Package: 8-SOIC Rise / Fall Time (Typ): 70ns, 35ns Channel Type: Independent Driven Configuration: Half-Bridge Number of Drivers: 2 Gate Type: IGBT, MOSFET (N-Channel) Logic Voltage - VIL, VIH: 0.8V, 2.5V Current - Peak Output (Source, Sink): 290mA, 600mA Part Status: Not For New Designs DigiKey Programmable: Not Verified |
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IRS2003STRPBF | Hersteller : INFINEON TECHNOLOGIES |
Category: MOSFET/IGBT drivers Description: IC: driver; MOSFET half-bridge; high-/low-side,gate driver; SO8 Type of integrated circuit: driver Mounting: SMD Supply voltage: 10...20V DC Number of channels: 2 Case: SO8 Kind of package: reel; tape Topology: MOSFET half-bridge Voltage class: 200V Operating temperature: -40...125°C Power: 625mW Turn-on time: 750ns Turn-off time: 180ns Output current: -600...290mA Kind of integrated circuit: gate driver; high-/low-side |
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