| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 67.84 EUR |
| 10+ | 62.83 EUR |
| 25+ | 60.82 EUR |
| 50+ | 59.36 EUR |
| 100+ | 57.22 EUR |
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Technische Details IS34ML04G168-BLI ISSI
Description: 4GB (X16, 8BIT ECC),63 BALL VFBG, Packaging: Tray, Package / Case: 63-VFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 4Gbit, Memory Type: Non-Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V, Technology: FLASH - NAND (SLC), Memory Format: FLASH, Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11), Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, 700µs, Memory Interface: Parallel, Access Time: 20 ns, Memory Organization: 256M x 16.
Weitere Produktangebote IS34ML04G168-BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
| IS34ML04G168-BLI | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
 Description: 4GB (X16, 8BIT ECC),63 BALL VFBGPackaging: Tray Package / Case: 63-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 4Gbit Memory Type: Non-Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V Technology: FLASH - NAND (SLC) Memory Format: FLASH Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11) Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, 700µs Memory Interface: Parallel Access Time: 20 ns Memory Organization: 256M x 16 |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 220 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS34ML04G168-BLI |
|
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: 4GB (X16, 8BIT ECC),63 BALL VFBG
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, 700µs
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
Description: 4GB (X16, 8BIT ECC),63 BALL VFBG
Packaging: Tray
Package / Case: 63-VFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Gbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 2.7V ~ 3.6V
Technology: FLASH - NAND (SLC)
Memory Format: FLASH
Supplier Device Package: 63-VFBGA (9x11)
Write Cycle Time - Word, Page: 25ns, 700µs
Memory Interface: Parallel
Access Time: 20 ns
Memory Organization: 256M x 16
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