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IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA
Memory Organization: 16M x 32
Access Time: 5.4 ns
Memory Interface: Parallel
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13)
Memory Format: DRAM
Clock Frequency: 166 MHz
Technology: SDRAM
Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V
Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA)
Memory Type: Volatile
Memory Size: 512Mbit
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 90-TFBGA
Packaging: Tape & Reel (TR)
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Technische Details IS42S32160D-6BL-TR ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA, Memory Organization: 16M x 32, Access Time: 5.4 ns, Memory Interface: Parallel, Part Status: Not For New Designs, Supplier Device Package: 90-TFBGA (8x13), Memory Format: DRAM, Clock Frequency: 166 MHz, Technology: SDRAM, Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V, Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA), Memory Type: Volatile, Memory Size: 512Mbit, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: 90-TFBGA, Packaging: Tape & Reel (TR).
Weitere Produktangebote IS42S32160D-6BL-TR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
|---|---|---|---|---|---|
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IS42S32160D-6BL-TR | ISSI |
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| IS42S32160D-6BL-TR |
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Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
DRAM 512M, 3.3V, SDRAM, 16Mx32, 166Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, T&R
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 2500 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH