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Technische Details IS42SM16160K-75BLI ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Kind of package: in-tray; tube, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SDRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Clock frequency: 133MHz, Memory capacity: 256Mb, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Case: TFBGA54, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 348 Stücke.
Weitere Produktangebote IS42SM16160K-75BLI
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS42SM16160K-75BLI | Hersteller : ISSI |
 DRAM 256M, 3.3V, 133Mhz 16Mx16 Mobile SDR |
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| IS42SM16160K-75BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SDRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory capacity: 256Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx16bitx4 Case: TFBGA54 Mounting: SMD Anzahl je Verpackung: 348 Stücke |
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%20Renders/706;54TFBGA-1.2-8x8;;54.jpg "IS42SM16160K-75BLI") |
IS42SM16160K-75BLI | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256MBIT PARALLEL 54TFBGA |
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| IS42SM16160K-75BLI | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 4Mx16bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA54; -40÷85°C Supply voltage: 2.7...3.6V DC Kind of package: in-tray; tube Operating temperature: -40...85°C Kind of memory: SDRAM Access time: 7.5ns Type of integrated circuit: DRAM memory Clock frequency: 133MHz Memory capacity: 256Mb Kind of interface: parallel Memory organisation: 4Mx16bitx4 Case: TFBGA54 Mounting: SMD |
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