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IS42SM32160E-75BLI-TR ISSI


IS42RM32160E-75BLI.pdf Hersteller: ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SDRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Clock frequency: 133MHz
Memory capacity: 512Mb
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke
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Technische Details IS42SM32160E-75BLI-TR ISSI

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C, Supply voltage: 2.7...3.6V DC, Kind of package: reel; tape, Operating temperature: -40...85°C, Kind of memory: SDRAM, Access time: 7.5ns, Type of integrated circuit: DRAM memory, Clock frequency: 133MHz, Memory capacity: 512Mb, Kind of interface: parallel, Memory organisation: 4Mx32bitx4, Case: TFBGA90, Mounting: SMD, Anzahl je Verpackung: 2500 Stücke.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
Preis ohne MwSt
IS42SM32160E-75BLI-TR IS42SM32160E-75BLI-TR Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 42-45SM-RM-VM32160E.pdf Description: IC SDRAM 512M 133MHZ 90BGA
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IS42SM32160E-75BLI-TR IS42SM32160E-75BLI-TR Hersteller : ISSI 42-45SM-RM-VM32160E-276692.pdf DRAM 512M, 3.3V, Mobile SDRAM, 16Mx32, 133Mhz, 90 ball BGA (8mmx13mm) RoHS, IT, T&R
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IS42SM32160E-75BLI-TR Hersteller : ISSI IS42RM32160E-75BLI.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 4Mx32bitx4; 133MHz; 7.5ns; TFBGA90; -40÷85°C
Supply voltage: 2.7...3.6V DC
Kind of package: reel; tape
Operating temperature: -40...85°C
Kind of memory: SDRAM
Access time: 7.5ns
Type of integrated circuit: DRAM memory
Clock frequency: 133MHz
Memory capacity: 512Mb
Kind of interface: parallel
Memory organisation: 4Mx32bitx4
Case: TFBGA90
Mounting: SMD
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