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Technische Details IS43DR16160B-25DBL ISSI
Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: DDR2; SDRAM, Memory: 256Mb DRAM, Memory organisation: 4Mx16bitx4, Clock frequency: 400MHz, Access time: 12.5ns, Case: TWBGA84, Mounting: SMD, Operating temperature: 0...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: in-tray; tube, Supply voltage: 1.7...1.9V DC, Anzahl je Verpackung: 209 Stücke.
Weitere Produktangebote IS43DR16160B-25DBL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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IS43DR16160B-25DBL | Hersteller : ISSI |
 DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA |
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| IS43DR16160B-25DBL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 400MHz Access time: 12.5ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: 0...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC Anzahl je Verpackung: 209 Stücke |
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IS43DR16160B-25DBL | Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
Description: IC DRAM 256M PARALLEL 84TWBGA |
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| IS43DR16160B-25DBL | Hersteller : ISSI |
Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 256MbDRAM; 4Mx16bitx4; 400MHz; 12.5ns; TWBGA84 Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: DDR2; SDRAM Memory: 256Mb DRAM Memory organisation: 4Mx16bitx4 Clock frequency: 400MHz Access time: 12.5ns Case: TWBGA84 Mounting: SMD Operating temperature: 0...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray; tube Supply voltage: 1.7...1.9V DC |
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