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IS43DR86400E-3DBLI

IS43DR86400E-3DBLI ISSI

43-46DR86400E-16320E.pdf Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
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Technische Details IS43DR86400E-3DBLI ISSI

Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA, Packaging: Tray, Package / Case: 60-TFBGA, Mounting Type: Surface Mount, Memory Size: 512Mbit, Memory Type: Volatile, Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA), Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V, Technology: SDRAM - DDR2, Clock Frequency: 333 MHz, Memory Format: DRAM, Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5), Part Status: Active, Write Cycle Time - Word, Page: 15ns, Memory Interface: Parallel, Access Time: 450 ps, Memory Organization: 64M x 8, DigiKey Programmable: Not Verified.

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IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI Hersteller : ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46DR86400E-16320E.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
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IS43DR86400E-3DBLI Hersteller : ISSI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDE97A489F5916060D5&compId=IS43DR16320E-25DBL.pdf?ci_sign=e8dfeabcb197c2fe2ee84d437978a0a055b093f9 Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 16Mx8bitx4; 333MHz; 15ns; TWBGA60
Operating temperature: -40...85°C
Kind of package: in-tray; tube
Kind of interface: parallel
Mounting: SMD
Case: TWBGA60
Access time: 15ns
Supply voltage: 1.7...1.9V DC
Clock frequency: 333MHz
Memory organisation: 16Mx8bitx4
Memory: 512Mb DRAM
Kind of memory: DDR2; SDRAM
Type of integrated circuit: DRAM memory
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