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IS43DR86400E-3DBLI

IS43DR86400E-3DBLI ISSI

43_46DR86400E_16320E.pdf
Hersteller: ISSI
DRAM 512M, 1.8V, DDR2, 64Mx8, 333Mhz @ CL5, 60 ball BGA (8mmx10.5mm) RoHS, IT
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Technische Details IS43DR86400E-3DBLI ISSI

Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60, tariffCode: 85423239, DRAM-Ausführung: DDR2, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, IC-Montage: Surface Mount, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, IC-Gehäuse / Bauform: BGA, Speicherdichte: 512Mbit, Versorgungsspannung, nom.: 1.8V, Taktfrequenz, max.: 333MHz, Betriebstemperatur, min.: -40°C, SVHC: No SVHC (16-Jul-2019), Anzahl der Pins: 60Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Speicherkonfiguration: 64M x 8bit, directShipCharge: 25.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
IS43DR86400E-3DBLI IS43DR86400E-3DBLI ISSI, Integrated Silicon Solution Inc 43-46DR86400E-16320E.pdf Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
auf Bestellung 2633 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+11.71 EUR
10+10.89 EUR
25+10.57 EUR
50+10.32 EUR
242+9.76 EUR
484+9.51 EUR
726+9.38 EUR
1210+9.2 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
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IS43DR86400E-3DBLI INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI 43-46DR86400E-16320E.pdf Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Surface Mount
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
directShipCharge: 25
auf Bestellung 242 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
12+22.22 EUR
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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IS43DR86400E-3DBLI
Hersteller: ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 60TWBGA
Packaging: Tray
Package / Case: 60-TFBGA
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 512Mbit
Memory Type: Volatile
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V
Technology: SDRAM - DDR2
Clock Frequency: 333 MHz
Memory Format: DRAM
Supplier Device Package: 60-TWBGA (8x10.5)
Part Status: Active
Write Cycle Time - Word, Page: 15ns
Memory Interface: Parallel
Access Time: 450 ps
Memory Organization: 64M x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
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Hersteller: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI
Description: INTEGRATED SILICON SOLUTION / ISSI - IS43DR86400E-3DBLI - DRAM, 333MHZ, 512MBIT, BGA-60
tariffCode: 85423239
DRAM-Ausführung: DDR2
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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IC-Gehäuse / Bauform: BGA
Speicherdichte: 512Mbit
Versorgungsspannung, nom.: 1.8V
Taktfrequenz, max.: 333MHz
Betriebstemperatur, min.: -40°C
SVHC: No SVHC (16-Jul-2019)
Anzahl der Pins: 60Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Speicherkonfiguration: 64M x 8bit
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